Toshiba amplia l’offerta di diodi Schottky
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Toshiba Electronics Europe propone nuova serie di diodi a barriera Schottky, o SBD (Schottky Barrier Diode), concepita per ottimizzare le commutazioni ad alta velocità nella gamma di correnti da 500 mA a 1000 mA.
I nuovi dispositivi utilizzano un processo che migliora le prestazioni in termini di tensione diretta e corrente inversa, che si traduce in un livello di perdite più basso. Pertanto i diodi a barriera Schottky risultano adatti per applicazioni dove è richiesta alta efficienza energetica, come per esempio nella conversione DC-DC e per la protezione contro l’inversione di polarità nei caricabatterie.
I diodi Schottky supportano tensioni inverse massime di 30 V e presentano correnti di perdita tipiche di soli 5 µA. A seconda della corrente nominale massima dei diodi, le tensioni dirette tipiche variano da 0,38 V (con IF = 500 mA) fino a 0,43 V (con IF = 1.000 mA) mentre la capacità tipica dei diodi varia da 120 pF per il modello da 500 mA fino a 170 pF per quello da 1.000 mA.
La nuova serie comprende la famiglia di dispositivi CUSxxF30 in contenitori SOD323 con tre diverse correnti nominali: da 500 mA (xx = 05), 800 mA (xx = 08) e 1000 mA (xx = 10). Inoltre, la soluzione da 500 mA è disponibile anche come modello CBS05F30 in contenitore LGA estremamente compatto (CST2B), con un ingombro di soli 1,2 x 0,8 x 0,4 mm.
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