Nuovo MOSFET a 24V da Magnachip

Magnachip Semiconductor ha presentato un nuovo MOSFET a 24V utilizzabile per gli auricolari wireless. Il nuovo componente soddisfa l’obiettivo dei progettisti di prolungare la durata della batteria dopo una ricarica rapida. Il design della terminazione e dei pad della sorgente è stato migliorato per ridurre l’RDS(on) del 24%. Le perdite di conduzione in questo modo sono notevolmente ridotte durante la carica e la scarica e l’efficienza complessiva per la protezione dei circuiti della batteria viene migliorata. Inoltre, questo MOSFET da 24 V è dotato di protezione da scariche elettrostatiche (ESD) per sopprimere tensioni anomale superiori a 5 V e può resistere a un massimo di 2 kV per una elevata protezione del circuito. Con queste caratteristiche, il MOSFET da 24 V può aiutare a prolungare la durata delle batterie degli auricolari.
Questo nuovo MOSFET a 24 V è in produzione in volumi.

Contenuti correlati

• 
  I nuovi Mosfet Super Junction da 600 V di Rohm

  Rohm  ha ampliato la gamma di Mosfet Super Junction da 600 V con due nuove serie, siglate rispettivamente R60xxXNx e R60xxWNx. Una peculiarità interessante è che l’azienda propone questi componenti in un package per montaggio superficiale dalle elevate...
• 
  Package innovativo per il nuovo Mosfet di AOS

  Alpha and Omega Semiconductor (AOS) ha presentato AOPL66801, un Mosfet a 80 V caratterizzato da un package innovativo. Il nuovo componente utilizza infatti un DFN6x5 AmpStack, basato su una tecnologia a die stacked che consente la realizzazione...
• 
  Toshiba amplia la gamma di Mosfet di potenza

  Toshiba Electronics Europe ha realizzato un nuovo Mosfet di potenza a canale N da 80 V destinato ad applicazioni come per esempio alimentatori industriali switching ad alta efficienza integrati in data center e stazioni base di comunicazione....
• 
  Nove Mosfet di potenza da Toshiba

  Toshiba ha aggiunto alla sua offerta di Mosfet di potenza nove dispositivi disponibili in tre tipi di package a elevata dissipazione di calore. La nuova gamma utilizza infatti i package SOT-23F, TSOP6F e UDFN6B e sono destinati a...
• 
  Rohm amplia l’offerta di Mosfet per automotive

  Sono destinati ai sistemi di alimentazione in ambito automotive i nuovi Mosfet della serie AG16xFNxx di Rohm. Si tratta di componenti da 80V progettati per i sistemi di alimentazione a 48 V che si stanno affermando come...
• 
  Toshiba: Mosfet a 80 V per automotive

  I Mosfet XPH2R608QB e XPH3R908QB di Toshiba sono componenti a canale N da 80 V conformi allo standard AEC-Q101, che espandono la gamma a supporto dei sistemi automotive a 48 V. Questi prodotti sono realizzati utilizzando il...
• 
  Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm

  Rohm  ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC,  Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive,...
• 
  Nuova tecnologia per i Mosfet di Toshiba

  Toshiba Electronics Europe ha sviluppato un Mosfet a canale N da 40 V basato sul processo produttivo U-MOS11-H di ultima generazione. Il dispositivo, siglato TPHR6704RL, è ottimizzato per l’impiego negli alimentatori a commutazione utilizzati nei data center,...
• 
  Diodes amplia l’offerta di Mosfet per automotive

  Diodes ha aggiunto al suo portfolio di Mosfet a canale N con package PowerDI8080-5 conformi agli standard automotive un componente da 100 V con una resistenza RDS(ON) particolarmente bassa. Questo Mosfet è stato introdotto insieme a nuovi...
• 
  Sette nuovi Mosfet a super giunzione da Toshiba

  Toshiba ha esteso la sua serie di Mosfet Dtmosvi 600 V con struttura a super giunzione con i nuovi componenti a canale N Dtmosvi 600 V HSD (con diodo ad alta velocità). Si tratta di sette nuovi...