MOSFET ad alte prestazioni da Renesas

Renesas ha sviluppato nuovi MOSFET ad alta potenza, a canale N, che supportano fino a 100V. Il produttore ha puntato particolarmente sulle prestazioni per la commutazione ad alta corrente, caratteristica necessaria per applicazioni come per esempio il controllo motore, sistemi di gestione delle batterie, gestione alimentazione e ricarica. I prodotti finali che possono trarre vantaggi dai nuovi MOSFET di Renesas spaziano dai veicoli elettrici alle stazioni di ricarica, dagli utensili elettrici agli UPS, ma anche i data center.

Le elevate prestazioni sono rese possibili anche dal nuovo processo produttivo per i wafer MOSFET (REXFET-1) sviluppato da Renesas che consente ai nuovi dispositivi di ridurre del 30% la “on-resistance”. Questa caratteristica contribuisce a ridurre notevolmente la perdita di potenza.

Il processo REXFET-1 permette inoltre ai nuovi MOSFET di garantire una riduzione del 10% del valore Qg (la quantità di carica necessaria per applicare una tensione al gate) e una diminuzione del 40% di Qgd (la quantità di carica che deve essere iniettata nel gate durante la fase di “Miller Plateau”).

I nuovi MOSFET RBA300N10EANS e RBA300N10EHPF sono disponibili in package TOLL e TOLG, compatibili pin per pin con i dispositivi di altri produttori e più compatti del 50% rispetto ai tradizionali package TO-263. Il package TOLL offre anche lati saldabili (wettable flanks) per l’ispezione ottica.

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