La nuova famiglia di MOSFET di potenza AP4034
Advanced Power Electronics ha introdotto la nuova famiglia AP4034 di MOSFET di potenza ad arricchimento a canale N da 30 V in un’ampia gamma di diffusissimi contenitori per rispondere a varie e diverse esigenze di costo e prestazioni. Tutti i MOSFET AP4034 offrono alta frequenza di commutazione e bassa carica di gate – in genere pari a 15 nC – per assicurare ottime prestazioni di commutazione.
I MOSFET AP4034GMT-HF-3, che offrono le migliori prestazioni termiche dei tre modelli, presentano bassa resistenza On massima: 8 mΩ, e corrente nominale drain-source di 44,3 A. I dispositivi sono forniti in un contenitore PMPAK5x6 con dissipatore termico integrato e ingombro SO-8 standard compatibile con altri package potenziati per dispositivi di potenza da 5 x 6 mm.
Il modello AP4034GM-HF-3 è proposto in un contenitore SO-8 standard, ampiamente utilizzato per dispositivi a montaggio superficiale industriali e commerciali, e presenta resistenza On massima di 9 mΩ e corrente nominale drain-source pari a 13 A.
I MOSFET AP4034GYT-HF-3 hanno la stessa bassa resistenza On massima: 9 mΩ, con corrente nominale drain-source di 15,5 A ma offrono prestazioni termiche superiori pur con un ingombro inferiore: 3 x3 mm. Il contenitore PMPAK3x3 è progettato appositamente per convertitori di potenza CC-CC compatti, presentando un ingombro ridotto grazie al dissipatore termico sul lato posteriore e un profilo ribassato di 1,0 mm.
Contenuti correlati
-
I nuovi Mosfet Super Junction da 600 V di Rohm
Rohm ha ampliato la gamma di Mosfet Super Junction da 600 V con due nuove serie, siglate rispettivamente R60xxXNx e R60xxWNx. Una peculiarità interessante è che l’azienda propone questi componenti in un package per montaggio superficiale dalle elevate...
-
Package innovativo per il nuovo Mosfet di AOS
Alpha and Omega Semiconductor (AOS) ha presentato AOPL66801, un Mosfet a 80 V caratterizzato da un package innovativo. Il nuovo componente utilizza infatti un DFN6x5 AmpStack, basato su una tecnologia a die stacked che consente la realizzazione...
-
Toshiba amplia la gamma di Mosfet di potenza
Toshiba Electronics Europe ha realizzato un nuovo Mosfet di potenza a canale N da 80 V destinato ad applicazioni come per esempio alimentatori industriali switching ad alta efficienza integrati in data center e stazioni base di comunicazione....
-
Nove Mosfet di potenza da Toshiba
Toshiba ha aggiunto alla sua offerta di Mosfet di potenza nove dispositivi disponibili in tre tipi di package a elevata dissipazione di calore. La nuova gamma utilizza infatti i package SOT-23F, TSOP6F e UDFN6B e sono destinati a...
-
Rohm amplia l’offerta di Mosfet per automotive
Sono destinati ai sistemi di alimentazione in ambito automotive i nuovi Mosfet della serie AG16xFNxx di Rohm. Si tratta di componenti da 80V progettati per i sistemi di alimentazione a 48 V che si stanno affermando come...
-
Toshiba: Mosfet a 80 V per automotive
I Mosfet XPH2R608QB e XPH3R908QB di Toshiba sono componenti a canale N da 80 V conformi allo standard AEC-Q101, che espandono la gamma a supporto dei sistemi automotive a 48 V. Questi prodotti sono realizzati utilizzando il...
-
Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm
Rohm ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC, Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive,...
-
Nuova tecnologia per i Mosfet di Toshiba
Toshiba Electronics Europe ha sviluppato un Mosfet a canale N da 40 V basato sul processo produttivo U-MOS11-H di ultima generazione. Il dispositivo, siglato TPHR6704RL, è ottimizzato per l’impiego negli alimentatori a commutazione utilizzati nei data center,...
-
Diodes amplia l’offerta di Mosfet per automotive
Diodes ha aggiunto al suo portfolio di Mosfet a canale N con package PowerDI8080-5 conformi agli standard automotive un componente da 100 V con una resistenza RDS(ON) particolarmente bassa. Questo Mosfet è stato introdotto insieme a nuovi...
-
Sette nuovi Mosfet a super giunzione da Toshiba
Toshiba ha esteso la sua serie di Mosfet Dtmosvi 600 V con struttura a super giunzione con i nuovi componenti a canale N Dtmosvi 600 V HSD (con diodo ad alta velocità). Si tratta di sette nuovi...











