International Rectifier: piattaforma Gen8 per IGBT da 1.200 V

International Rectifier ha presentato una nuova piattaforma tecnologica per la realizzazione di transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). La piattaforma di ottava generazione (Gen8) per la realizzazione di IGBT da 1.200 V sfrutta le più recenti tecnologie di produzione con ‘trench gate Field-Stop’, una particolare struttura a trincea dell’elettrodo di gate che garantisce le migliori prestazioni sul mercato per le applicazioni industriali e di risparmio energetico.

La struttura dei dispositivi Gen8 permette di ottenere il miglior livello di tensione Vce(on) per ridurre la dissipazione di potenza e aumentare la densità di potenza, nonché di ottenere una robustezza ancora superiore.

La nuova tecnologia offre delle caratteristiche di spegnimento del transistor più dolci, che sono ideali per il pilotaggio dei motori, in quanto minimizzano le variazioni dv/dt per ridurre le interferenze elettromagnetiche e le sovratensioni, migliorando l’affidabilità e la robustezza dei dispositivi. Inoltre, una più stretta distribuzione dei parametri permette un’efficiente ripartizione della corrente quando più IGBT vengono collegati in parallelo per realizzare moduli di potenza ad alta corrente. La tecnologia a wafer sottile offre anche un miglioramento della resistenza termica e la possibilità di funzionamento con temperature di giunzione fino a 175 °C.

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