Infineon presents new automotive 750 V EDT2 IGBTs

Infineon Technologies is launching the new EDT2 IGBTs in a TO247PLUS package. The devices are optimized for automotive discrete traction inverters and expand Infineon’s portfolio of discrete high-voltage devices for automotive applications. Due to their high quality, the IGBTs meet and exceed the industry standard AECQ101 for automotive components. As a result, the devices can significantly increase the performance and reliability of inverter systems. With the automotive micro-pattern trench-field-stop cell design, the IGBTs are based on a technology that has already been successfully utilized in several inverter modules such as the EasyPACK 2B EDT2 or the HybridPACK.

As required for the target applications, the product family is short-circuit-robust. In addition, the TO247PLUS package offers a greater creepage distance for easy design-in. EDT2 technology is optimized for traction inverter and has a breakdown voltage of 750 V, supporting battery voltages up to 470 V DC, and significantly lower switching and conduction losses.

The rated currents of the discrete EDT2 IGBTs are 120 A and 200 A at 100°C, each with a very low forward voltage, reducing conduction losses by up to 13 percent compared to the previous generation.

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