I nuovi FET SiC di UnitedSiC

Il produttore di semiconduttori di potenza in carburo di silicio UnitedSiC ha realizzato quattro nuovi FET SiC con livelli RDS (ON) di 7mohm. Questi valori particolarmente bassi sono molto interessanti per applicazioni ad alta potenza come gli inverter per veicoli elettrici ( EV), convertitori DC/DC ad alta potenza, caricabatterie con elevate correnti e interruttori automatici a stato solido.

Dei quattro nuovi FET SiC UF3C, uno può operare a tensioni di 650 V con RDS (ON) di 7mohm e tre a 1200 V con RDS (ON) di 9 e 16mohm. Tutti questi componenti sono disponibili in package TO247.

Questi nuovi FET SiC in sostanza combinano un JFET SiC di terza generazione ad alte prestazioni e un MOSFET in silicio ottimizzato in cascata. Questa configurazione del circuito permette di realizzare un dispositivo veloce ed efficiente ospitato in un package diffuso che può essere pilotato con le stesse tensioni di gate degli IGBT in silicio, dei MOSFET in silicio e dei MOSFET SiC.

Per quanto riguarda la disponibilità, la produzione in volumi è prevista per il secondo trimestre del 2020.

Contenuti correlati

• 
  Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm

  Rohm  ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC,  Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive,...
• 
  Partnership tra SemiQ e NAC Semi

  SemiQ, azienda specializzata in soluzioni in carburo di silicio (SiC), ha annunciato un accordo di distribuzione con NAC Semi(NAC Group), azienda di servizi di progettazione e distribuzione di componenti elettronici. Questa partnership permette un accesso semplificato a...
• 
  I SiC di Infineon per la bZ4X di Toyota

  Infineon Technologies ha comunicato Toyota ha adottato i MOSFET CoolSiC per il suo nuovo modello bZ4X. Nello specifico, questi componenti di Infineon sono stati integrati nel caricabatterie di bordo (OBC) e nel convertitore CC/CC. I MOSFET CoolSiC sfruttano...
• 
  ROHM lancia un modulo SiC 2-in-1

  ROHM ha annunciato un nuovo modulo SiC 2-in-1 (SCZ40xxDTx, SCZ40xxKTx) DOT-247 . La famiglia è caratterizzata da moduli con una struttura combinata composta da due package TO-247, soluzione che consente di utilizzare chip di grandi dimensioni e...
• 
  MOSFET SiC 650 V di terza generazione da Toshiba

  Toshiba Electronics Europe ha introdotto tre nuovi MOSFET in carburo di silicio (SiC) da 650 V, che integrano i più recenti chip di terza generazione dell’azienda. I modelli , siglati rispettivamente TW027U65C, TW048U65C e TW083U65C, utilizzano un...
• 
  ROHM presenta nuovi moduli di potenza SiC

  ROHM ha aggiunto alla sua offerta di moduli SiC una nuova gamma di prodotti ottimizzati per i convertitori PFC e LLC nei caricabatterie di bordo (OBC) per veicoli elettrici. La nuova gamma comprende sei modelli con tensione...
• 
  Disponibili in volumi i nuovi MOSFET SiC di Toshiba

  Toshiba Electronics Europe ha iniziato le consegne in volumi dei suoi nuovi MOSFET SiC da 650 V di terza generazione. Siglati TW031V65C, TW054V65C, TW092V65C e TW123V65C, questi componenti utilizzano un package compatto di tipo DFN8x8 per apparecchiature...
• 
  Infineon rilascia i primi prodotti SiC su wafer da 200mm

  Infineon Technologies ha annunciato che rilascerà i primi prodotti SiC basati sulla tecnologia avanzata da 200 mm ai clienti nel primo trimestre del 2025. L’azienda sottolinea che il rilascio ai clienti dei primi prodotti basati sulla tecnologia...
• 
  Rete elettrica omnidirezionale: il ruolo del SiC

  La tecnologia SiC permette di aumentare l’efficienza e la densità di potenza dei convertitori di potenza utilizzati nelle cosiddette DER (Distributed Energy Resources), elementi fondamentali per supportare l’infrastruttura di ricarica durante i picchi di domanda di energia...
• 
  Nuovi diodi Schottky da 1200 V da Toshiba

  Toshiba Electronics Europe ha aggiunto alla sua offerta dieci nuovi diodi a barriera Schottky (SBD) da 1200 V realizzati in carburo di silicio (SiC). Si tratta della serie TRSxxx120Hx, composta da cinque prodotti alloggiati in package TO-247-2L...