Diodes Incorporated rilascia i suoi primi diodi SBD SiC - Elettronica Plus

Diodes Incorporated rilascia i suoi primi diodi SBD SiC

Pubblicato il 6 febbraio 2023
DIODES

Diodes Incorporated ha annunciato il rilascio dei suoi primi diodi a barriera Schottky (SBD) al carburo di silicio (SiC). Il portafoglio comprende la serie DIODES DSCxxA065 con undici prodotti da 650 V (4 A, 6 A, 8 A e 10 A) e la serie DIODES DSCxx120 con otto prodotti da 1200 V (2 A, 5 A e 10 A).
Questi SBD wide-bandgap offrono i vantaggi di un’efficienza significativamente migliorata e dell’affidabilità alle alte temperature, rispondendo anche alle richieste del mercato di costi di gestione del sistema ridotti e bassa manutenzione. I dispositivi sono utilizzabili per la realizzazione di convertitori switching AC-DC, DC-DC e DC-AC, inverter fotovoltaici, gruppi di continuità e applicazioni di azionamento di motori industriali. Questi dispositivi possono essere utilizzati anche per un’ampia varietà di altri circuiti, come i convertitori boost per la correzione del fattore di potenza.



Contenuti correlati

  • Rohm
    Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm

    Rohm  ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC,  Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive,...

  • SemiQ
    Partnership tra SemiQ e NAC Semi

    SemiQ, azienda specializzata in soluzioni in carburo di silicio (SiC), ha annunciato un accordo di distribuzione con NAC Semi(NAC Group), azienda di servizi di progettazione e distribuzione di componenti elettronici. Questa partnership permette un accesso semplificato a...

  • Infineon
    I SiC di Infineon per la bZ4X di Toyota

    Infineon Technologies ha comunicato Toyota ha adottato i MOSFET CoolSiC per il suo nuovo modello bZ4X. Nello specifico, questi componenti di Infineon sono stati integrati nel caricabatterie di bordo (OBC) e nel convertitore CC/CC. I MOSFET CoolSiC sfruttano...

  • Avnet Silica
    Diodes Incorporated premia Avnet Silica

    Avnet Silica ha ottenuto il premio “Automotive Distributor of the Year – Europe” da Diodes Incorporated. Questo riconoscimento premia le performance, il valore strategico e la forte crescita sostenuti da Avnet Silica nel settore automotive europeo. Il...

  • ROHM
    ROHM lancia un modulo SiC 2-in-1

    ROHM ha annunciato un nuovo modulo SiC 2-in-1 (SCZ40xxDTx, SCZ40xxKTx) DOT-247 . La famiglia è caratterizzata da moduli con una struttura combinata composta da due package TO-247, soluzione che consente di utilizzare chip di grandi dimensioni e...

  • Toshiba
    MOSFET SiC 650 V di terza generazione da Toshiba

    Toshiba Electronics Europe ha introdotto tre nuovi MOSFET in carburo di silicio (SiC) da 650 V, che integrano i più recenti chip di terza generazione dell’azienda. I modelli , siglati rispettivamente TW027U65C, TW048U65C e TW083U65C, utilizzano un...

  • DIODES
    Due nuovi ReDriver ibridi a quattro canali da Diodes

    Diodes Incorporatedha introdotto due ReDrive ibridi a quattro canali a 3,3 V con listener DDC (Display Data Channel) integrati. Questi prodotti operano come intermediari tra una sorgente (come per esempio una CPU o una GPU) e un...

  • ROHM
    ROHM presenta nuovi moduli di potenza SiC

    ROHM ha aggiunto alla sua offerta di moduli SiC una nuova gamma di prodotti ottimizzati per i convertitori PFC e LLC nei caricabatterie di bordo (OBC) per veicoli elettrici. La nuova gamma comprende sei modelli con tensione...

  • Toshiba
    Disponibili in volumi i nuovi MOSFET SiC di Toshiba

    Toshiba Electronics Europe ha iniziato le consegne in volumi dei suoi nuovi MOSFET SiC da 650 V di terza generazione. Siglati TW031V65C, TW054V65C, TW092V65C e TW123V65C, questi componenti utilizzano un package compatto di tipo DFN8x8 per apparecchiature...

  • infineon
    Infineon rilascia i primi prodotti SiC su wafer da 200mm

    Infineon Technologies ha annunciato che rilascerà i primi prodotti SiC basati sulla tecnologia avanzata da 200 mm ai clienti nel primo trimestre del 2025. L’azienda sottolinea che il rilascio ai clienti dei primi prodotti basati sulla tecnologia...

Scopri le novità scelte per te x

  • Rohm
    Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm

    Rohm  ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC,  Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad...

  • SemiQ
    Partnership tra SemiQ e NAC Semi

    SemiQ, azienda specializzata in soluzioni in carburo di silicio (SiC), ha annunciato un accordo di distribuzione con...