Da Toshiba un compatto MOSFET a canale N common-drain

Toshiba Electronics Europe ha presentato SSM14N956L, un MOSFET a canale N common-drain a 12V e 20A, da utilizzare nei circuiti di protezione dei battery pack agli ioni di litio, come quelli comunemente utilizzati per smartphone, tablet, power bank, fotocamere digitali compatte, fotocamere reflex digitali e altre applicazioni simili.

Il nuovo MOSFET offre una (RSS(ON)), pari a 1mΩ, con una conseguente riduzione delle perdite di conduzione. Inoltre, il processo produttivo permette di ottenere una bassa corrente di dispersione gate-source (IGSS) di ±1μA (max.), che consente di ridurre il consumo energetico in standby.

Per potersi adattare anche a spazi ristretti, il nuovo SSM14N956L è alloggiato in un package chip-scale, TCSPED-302701. Le dimensioni sono di 2,74mm x 3,0mm con un’altezza tipica di 0,085mm.

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