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P ochi giorni dopo aver rice-
vuto il benestare del Commit-
tee on Foreing Investments
per la cessione dell’attività di
produzione di circuiti integrati
a (lo spin-off
di in parte finanziato da
investitori degli Emirati Arabi
Uniti), ha voluto dare un
forte segnale di presenza an-
nunciando la realizzazione di
chip con transistor al nodo dei
7 nn.
L’impresa, pubblicizzata lo
scorso 9 luglio, è stata com-
piuta con il contributo dell’al-
leanza che, sotto il nome
di , riuni-
sce GlobalFoundries, IBM e
Giusto un anno fa
Big Blue aveva annunciato un
investimento da 3 miliardi di
dollari, distribuito su un arco di
cinque anni, per l’affinamento
della scienza dei materiali e
delle tecnologie necessarie a
raggiungere e oltrepassare il
nodo dei 7 nm.
I wafer da 300 mm che ospi-
tano gli integrati con transistor
FinFET realizzati con il pro-
cesso da 7 nm sono stati pro-
dotti nei laboratori del
del
. Due
sono gli strappi macroscopici
rispetto al passato: il passag-
gio a SiGe come materiale per
il canale dei FET, e il ricorso
alla litografia EUV (Extreme
UltraViolet), abbinata a una
tecnica multi-patterning auto-
allineante (SAQR, Self-Alig-
ned Quadruple Patterning),
per la delimitazione di geome-
trie a una scala così spinta.
Utilizzando una lega di sili-
cio e germanio per i canali
dei transistor si incrementa
la mobilità degli elettroni così
da permettere il passaggio di
correnti idonee anche quando
il canale è spesso solo una
manciata di atomi. Il solo sili-
cio, infatti, inizia ad avere pro-
blemi in questo senso quando
lo spessore del canale scen-
de al di sotto dei 10 nm e la
scelta di SiGe come alterna-
tiva è una scelta prevedibile
che probabilmente troverà
riscontro anche nei processi
messi a punto dagli altri due
massimi attori in questa are-
na: e
Più delicato è il discorso sulla
litografia EUV, la cui applica-
zione nei processi per la produ-
zione di massa è stata a lungo
ritardata per le numerose com-
plicazioni di implementazione
e gli alti costi associati. Si trat-
ta di una tecnologia più volte
data per imminente ma che si
è finora rivelata elusiva. Se i
ricercatori di GlobalFoundries,
IBM e Samsung, grazie anche
agli investimenti multimiliardari
pianificati l’anno scorso, hanno
effettivamente trovato il modo
di portare la litografia EUV
fuori dai laboratori di ricerca
e dentro gli impianti di produ-
zione di massa, a Santa Clara
(dove si lotta contro i difetti del
nodo a 10 nm) qualcuno do-
vrebbe iniziare a preoccuparsi.
Dobbiamo tuttavia sottolineare
il “se”: le stime più ottimistiche
per la messa in produzione dei
chip al nodo 7 nm parlano di
2017-2018, segno che ci sono
ancora diversi ‘dettagli’ da de-
finire. Gli osservatori più pes-
simisti, dal canto loro, faticano
a vedere la litografia EUV (con
lunghezze d’onda da 13,5 nm)
a pieno regime prima della fine
del decennio.
Resta comunque il fatto che le
aziende dalla Common Plat-
form sono riuscite a produrre
un prototipo di circuito integra-
to al nodo dei 7 nm e che IBM,
nonostante abbia abbandonato
il ruolo attivo nella produzione
di circuiti integrati, continua ad
esercitare il suo peso sull’evo-
luzione delle tecnologie elettro-
niche. Come ha sempre fatto
da decenni a questa parte, Big
Blue sta semplicemente cre-
ando le condizioni migliori per
perseguire la linea di business
che ritiene essere più proficua.
I processori di prossima gene-
razione troveranno infatti posto
nei server e nei sistemi di sto-
rage che serviranno a spingere
l’attuale core business di IBM:
Cloud Computing e Big Data. I
grattacapi per Intel potrebbero
invece arrivare da AMD,
e , già in fila
per avere i chip che usciranno
dagli stabilimenti di Global-
Foundries.
EONews n. 588 - luglio/agosto 2015
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Massimo Giussani
Terza Pagina
Big Blue mette le mani avanti sui processori
di prossima generazione mettendo a punto un
prototipo al nodo dei 7 nm
IBM a quota 7 (nm)
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Foto IBM