Table of Contents Table of Contents
Previous Page  99 / 102 Next Page
Information
Show Menu
Previous Page 99 / 102 Next Page
Page Background

XXV

POWER 13 -

APRILE 2017

NEWS

NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS NEWS

Mitsubishi Electric sviluppa

un amplificatore Doherty

basato su GaN

Mitsubishi Electric

e

Mitsubishi

Electric Research Laboratories

hanno annunciato lo sviluppo di un am-

plificatore di potenza Doherty basato

su GaN. Questo amplificatore Ultra-

Wideband, compatibile con le bande di

frequenza intorno ai 3 GHz e una lar-

ghezza di banda operativa di 600 MHz,

è destinato alla nuova generazione di

base station.

Questo amplificatore utilizza un circuito

per la compensazione della frequenza

con architettura Doherty per migliorare

l’efficienza in una gamma di frequenze

molto ampia. La tecnologia GaN, inol-

tre, permette di ridurre le dimensioni e il

consumo di energia per questo tipo di

applicazione.

L’impiego di dispositivi GaN di Mitsubi-

shi (MGFS39G38L2) contribuisce infatti

a raggiungere un’efficienza del 45,9%

nella gamma di frequenza compresa

tra 3 e 3,6 GHz.

Convertitore trifase AC-DC

da 10W per sistemi industriali

LO10-26D0512-04Lè un convertitore

AC-DC di

Mornsun

caratterizzato da

una gamma molto ampia di tensioni

di ingresso e destinato all’impiego in

smart meter elettrici.

Questo prodotto opera con tensioni in

ingresso da 57-528 VAC (80-745 VDC)

che ne permette l’impiego in sistemi a

220V/380V. L’isolamento arriva a 4000

VAC e risponde agli standard IEC/

EN61000.

Per le caratteristiche elettriche, la po-

tenza è di 10,92W, mentre le due uscite

offrono rispettivamente 5,1 VDC a 1,2A

e 12 VDC a 0,4A. La gamma di tempe-

rature operative va da -40 a +70 gradi

C e la piena potenza è erogata da 0 a

+60 gradi. Il derating cresce linearmen-

te fino all’80% a

temperature

di

-40 gradi e arriva

al 70% a 70 gradi.

Le

applicazioni

per questo con-

vertitore sono tipicamente quelle che

richiedono elevate prestazioni in termini

di isolamento e di EMC.

Nuova potting junction box di TE Connectivity

SOLARLOK PV Bar è una nuova potting junction box per pannelli solari di

TE Connec-

tivity

approvata TUV e UL per tensioni fino a 1500V. Questo prodotto è stato concepito

per estendere al massimo possibile la sua vita operativa utilizzando, per esempio, contatti

completamente in rame.

Il produttore dichiara un

ciclo di vita del prodotto

che è tre volte lo stan-

dard IEC. La corrente

massima supportata è di

15A mentre la gamma di

temperature va da -40C

a +85C. I quattro contatti

permettono di utilizzare

cavi fino a 12 AWG.

La protezione di Littelfuse

Littelfuse

ha presentato una serie di array di diodi TVS (famiglia SPA) ideata per proteg-

gere gli I/O delle apparecchiature elettroniche esposte a scariche elettrostatiche (ESD)

distruttive o transitori elettrici veloci (EFT).

I nuovi SP1064 sono diodi Zener fabbricati utilizzando una tecnologia proprietaria e

sono in grado di assorbire ESD ripetitive superiori al li-

vello massimo specificato nella norma internazionale IEC

61000-4-2, senza alcun degrado delle prestazioni. La bas-

sa capacità di carico (tipicamente 8,5 pF per I/O) li rende

i interessanti anche per la protezione dei pin usati per se-

gnali ad alta velocità.

Le applicazioni tipiche della serie SP1064 comprendono la

protezione delle soluzioni di retroilluminazione e illuminazio-

ne perimetrale per televisori Ultra High Definition, LCD/PDP/

TV, desktop/portatili e display per punti vendita.

I nuovi MOSFET di potenza di Toshiba

Toshiba

ha ampliato la sua gamma di MOSFET di potenza N-channel a bassa tensione

con versioni a 100V che supportano il pilotaggio con livelli a 4,5V. I modelli sono due,

siglati rispettivamente TPH4R10ANL (70A) e TPH6R30ANL (45A) e fanno parte della fa-

miglia U-MOS VIII-H. Per le principali caratteritiche tecniche, il modello TPH6R30ANL

offre un on-resistance di 6,3mΩ (VGS=10 V) e 10,3mΩ

(VGS=4.5V), Qg di 55nC, Qoss di 46nC, Qsw di 14nC,

Ciss di 3300pF. Il modello TPH4R10ANL, invece, ha

una on-resistance di 4,1 mΩ (VGS=10 V) e 6,6mΩ

(VGS=4.5V), Qg di 75nC, Qoss di 74nC, Qsw di 21nC,

Ciss di 4850pF. Entrambi sono disponibili in package

SOP Advance. I nuovi MOSFET di Toshiba sono idonei

l’impiego in applicazioni come per esempio caricatori

rapidi, alimentatori switched-mode e convertiori DC-DC

per server e dispositivi di comunicazione.