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TECH-FOCUS
MEMORY TECHNOLOGY
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- ELETTRONICA OGGI 457 - OTTOBRE 2016
Lucio Pellizzari
La competizione fra le memorie è più viva che mai e sembra che le
PCM realizzate a Zurigo da IBM possano davvero sconfiggere le MRAM
nell’ambito podio di memorie universali intermedie fra le Dram e le Flash
LEMEMORIE
DI NUOVAGENERAZIONE
SFIDANO I PROCESSORI
e più veloci sono le memorie ad accesso
rapido DRAM (Dynamic Random-Access
Memory) e sono anche le più affidabili, perché
garantiscono milioni di cicli di lettura/scrittu-
ra e durate di vita ultra decennali, ma queste
prestazioni si pagano sia perché occorre con-
tinuamente alimentarle sia perché, nonostan-
te recenti significativi progressi, continuano
a mantenere il prezzo più alto fra le memorie
commercialmente disponibili. Le memorie
non volatili o flash sono oggi prevalentemen-
te di tipo NAND, perché funzionano come un
flip-flop AND negativo e sono nettamente più
economiche delle precedenti. Il loro grande
vantaggio consiste nel conservare i dati anche
senza
l’alimentazione
ma hanno lo svantaggio
di vivere meno perché
sono fatalmente limitate
a qualche migliaio di ci-
cli di lettura e scrittura.
Il minor costo, tuttavia,
ne spiega il sorpasso di
mercato rispetto alle pri-
me avvenuto all’incirca
nel 2012 e tutt’oggi le-
gittimo nonostante sia
le Flash sia le Dram sia-
no nel frattempo scese
ulteriormente di prezzo
ed entrambe cresciute
parecchio nei rispetti-
vi volumi di vendita. La
sostanziale
differenza
tecnologica fra le due si riscontra ovviamen-
te dal punto di vista applicativo ma meno in-
tuitivamente anche nelle tendenze di ricerca
attualmente in corso nei laboratori planetari,
che tentano in vario modo di rendere le prime
più economiche, le seconde più affidabili o, in
alternativa, trovare in qualche modo una via
di mezzo.
Va riconosciuto che le nuove tecnologie di
sovrapposizione verticale di array planari di
celle sviluppate a lungo nei laboratori Intel,
Micron, Samsung e Toshiba e accomunate
dallo slogan 3D NAND (che riassume in va-
rio modo i significati di MLC, Multi-Level Cell,
TLC, Triple-Level Cell, V-NAND, Vertical Nand
L
Fig. 1 – Le attuali tecnologie di memoria differenziate per categoria secondo i ricercatori dei
laboratori IBMdi Zurigo
Dynamic Random
Access Memory
(DRAM)
Flash
Phase-Change
Memory (PCM)
Multi-Level
Phase-Change
Memory
Timeframe
Invented in 1966 Invented in 1980s
Available in limitednumber
ofsmartphones-wide
adoptionexpectedby2016
2016
Speed
Density
Endurance
Retention
Scaling
Credit: IBM reserch
Best in class
Average/Inadequate
The qualification is
relative and depends
on the application
Racetrack mamory is
not included in this
time horizon
Good/Adequate
Bad/Worse in class