EO_454

POWER

TRANSISTOR

- ELETTRONICA OGGI 454 - MAGGIO 2016

che va da 8 fino a ben 250A, ma

la società ha aggiunto questa

estate il nuovo GS66516T pro-

gettato per i circuiti a commu-

tazione da 60A e il GS66504B

con erogazione di 15A. Entrambi

lavorano fino a 650V e hanno

tolleranza termica estesa da -55

fino a +155 °C, ma il primo mi-

sura 9,0x7,6x0,45 mm, mentre il

secondo 5,0x6,5x0,45 mm e anche le resistenze di condu-

zione sono diverse con 27 m

per il primo e 110 m

per il

secondo.

M/A-COM Technology Solutions

ha introdotto il nuovo

transistor a banda larga NPT2022, fabbricato con il processo

GaN-on-Silicon brevettato Sigantic, che consente di deporre

due giunzioni di GaN su un substrato di silicio e consentire

loro di commutare agevolmente dalla continua fino a 2 GHz,

anche in modalità di funzionamento a impulsi. L’architettura

è di tipo HEMT, High Electron Mobility Transistor, perché le

eterogiunzioni sono diverse proprio per massimizzare la velo-

cità di commutazione e offrire un’efficienza del 60% e un gua-

dagno di 20 dB a 900 MHz con 50V di tensione di comando,

anche se questo transistor può erogare una potenza d’uscita

fino a 100W o 50 dBm. L’operatività termica viene garantita da

-40 fino a +85 °C e queste prestazioni sono adatte per le co-

municazioni militari, aerospaziali e wireless nella banda ISM.

Panasonic Semiconductor

ha brevettato una tecnologia di

fabbricazione per crescita epitassiale dei transistor in GaN

che ha battezzato Gate Injection Transistor (GIT) e consen-

te di risolvere il problema dell’aumento della resistenza di

conduzione al crescere della tensione di comando in base,

che affligge molti transistor in GaN. In pratica, la base è rea-

lizzata in AlGaN di tipo P e nella commutazione inietta un po’

di lacune nel canale, che a loro volta provocano l’immediato

riempimento degli elettroni in numero molto maggiore del

normale con due vantaggi, perché grazie a ciò la resistenza

di conduzione diminuisce e la base sopporta una tensione

di comando maggiore che consente al transistor di genera-

re maggior potenza. Il PGA26C09DV lavora con Vds fino a

600V, ha una rds(on) di 71 m

, eroga fino a 15A ed è propo-

sto in package TO-220 ma stanno per uscirne due ulteriori

versioni in package Dfn da 8x8 mm.

Fig. 6 – I nuovi transistor Panasonic GIT in GaN hanno la base di tipo P

che riduce la resistenza di conduzione a 71 mΩ pur offrendo un’eroga-

zione di 15A alla tensione di comando di 600V

Fig. 4 – Hanno una resistenza di con-

duzione di 27 e 110 mΩ e un’eroga-

zione di corrente di 60 e 15A i due

nuovi transistor GaN rilasciati da GaN

Systems

Fig. 5 – Commuta dalla continua fino

a 2 GHz il nuovo transistor GaN-on-Si

MACOM NPT2022 e offre una potenza

d’uscita di 100W o 50 dBm