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ANALOG MIXED SIGNAL

DC/DC CONVERTER

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- ELETTRONICA OGGI 454 - MAGGIO 2016

I requisiti dei convertitori

DC-DC nelle applicazioni

di pilotaggio del gate

I

n presenza di potenze elevate, gli invertitori o i convertitori

utilizzano configurazioni a ponte (bridge) per generare la

frequenza di rete AC o fornire il pilotaggio bi-direzionale in

modalità PWM a motori, trasformatori o altri carichi. I circuiti

a ponte includono IGBT o MOSFET (compresi quelli realizzati

utilizzando tecnologia SiC oppure GaN) utilizzati come switch

“high-side” i cui emettitori/sorgenti sono nodi di commutazio-

ne ad alta tensione ed elevata frequenza. Di conseguenza, il

segnale PWM per il pilotaggio del gate (gate drive) e gli asso-

ciati rail di potenza necessari per il pilotaggio che utilizzano

l’emettitore/sorgente come riferimento devono essere isolati

galvanicamente da massa. Il circuito di pilotaggio e i rail di

potenza associati devono inoltre essere immuni da rapide

variazioni della tensione (dV/dt) del nodo di commutazione

ed essere caratterizzato da una capacità di accoppiamento di

valore molto basso. In parecchi casi il circuito a ponte richiede

la presenza di un isolamento dal circuito di controllo conforme

a normative stabilite da Enti che si occupano della sicurezza:

per questa ragione la barriera di isolamento del circuito di pilo-

taggio deve essere robusta e non essere soggetta a fenomeni

di deterioramento significativo durante il ciclo di vita imputabi-

le agli effetti di scariche parziali.

I convertitori DC-DC della serie MGJ di

Murata ,

ad esempio,

sono stati progettati in modo da garantire valori di isolamento e

di tensioni di pilotaggio ottimizzati per i gate drive di tipo “high

side”. La tensione del rail di potenza positivo per il circuito di pi-

lotaggio del gate deve avere un valore sufficientemente alto da

assicurare la completa saturazione/arricchimento dello switch

di potenza senza peraltro superare la tensione massima assolu-

ta del proprio gate.

Per soddisfare le esigenze di vari dispositivi, i convertitori della

serie MGJ prevedono tensioni di uscita pari a +15 o +20V.

Per esempio, gli IGBT e i MOSFET GaN saranno completamen-

te accesi (on) con una tensione di pilotaggio di 15V, mentre i

MOSFET SiC potrebbero richiedere una tensione pari a circa

20V per un’attivazione completa. Nel caso di rail di tensione

negativo lo stato di off, ovvero una tensione nulla sul gate, può

risultate una soluzione adeguata per tutti i dispositivi. Una ten-

sione negativa, compresa solitamente tra -5 e -10V, consente

una rapida commutazione controllata da un resistore del gate.

La tensione di soglia (threshold) di gate nello stato di on per gli

IGBT è pari ad alcuni Volt, solitamente 5V, mentre per i disposi-

tivi realizzati in SiC o GaN può essere di poco superiore a 1V. A

questo punto è utile sottolineare il fatto che qualsiasi induttanza

(L) dell’emettitore posto tra lo switch e il riferimento del driver

(punto x di Fig. 1) provoca una tensione gate-emettitore opposta

quando lo “switch” è in modalità turning-off. Un’induttanza di

valore ridotto, ad esempio di soli 5 nH, può produrre una tensio-

ne di 5V con una variazione di corrente (di/dt) di che può esse-

re anche pari a 1.000 A/µs. Si tenga conto che 5 nH è il valore di

induttanza di una connessione mediante filo di pochi millimetri.

Un drive negativo appropriato assicura che la tensione nello

stato di off tra gate ed emettitore sia sempre pari a 0 (o inferio-

re). I convertitori della serie MGJ, a seconda della versione, sono

disponibili con tensioni di uscita pari a -5V, -8.7V, -10V e -15V.

Un gate drive negativo permette anche di contrastare l’effetto

della capacità di “Miller” tra collettore e gate durante il turn-off

del dispositivo che provoca l’iniezione di corrente nel circuito

di pilotaggio del gate. Quando un IGBT è pilotato nello stato di

off, la tensione tra collettore e gate aumenta e una corrente di

valore pari a Cm *dV

ce

/dt fluisce, attraverso la capacità di Miller,

nella capacità Cge tra gate ed emettitore e attraverso il resistore

del gate che collega il driver (Fig. 2). La tensione risultante V

ge

sul gate può avere un valore sufficiente per provocare ancora

l’accensione (turn-on) dell’IGBT, con possibili danni e fenomeni

di shoot-through. Il pilotaggio del gate con una tensione nega-

Paul Lee

Murata Power Solutions

Alcuni tipi di convertitori DC-DC, come ad

esempio quelli della serie MGJ di Murata,

sono stati progettati in modo da garantire

valori di isolamento e di tensioni di pilotaggio

ottimizzati per i gate drive di tipo “high side”