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52 - ELETTRONICA OGGI 449 - OTTOBRE 2015
COMPONENTS TRANSDUCERS
sente progetti più compatti, dato che risultano praticamente
insensibili a conduttori con elevata corrente anche vicino al
trasduttore.
Per la simulazione di campi esterni, il test migliore è quello
di mettere una sbarra blindata con una corrente nominale a
diverse posizioni in prossimità del trasduttore, tutto attorno.
L’errore aggiuntivo dovuto al campo creato da questa barra
può essere misurato. E questo è anche il modo per simulare
una sbarra blindata di ritorno e i relativi effetti sulla precisione
del trasduttore.
Ad esempio, la sensibilità verso campi AC o DC (nel caso peg-
giore) con il modello LF 1010-S è cinque volte migliore che
con LF 1005-S (della generazione precedente).
L’errore tipico con un LF 1010-S è il 2% di IPN
rispetto al 10% di un LF 1005-S che opera nelle
stesse condizioni causate da campi AC o DC di
disturbo.
Per quanto riguarda il tempo di risposta (Fig.
6), i trasduttori LF xx10 hanno un ritardo ti-
pico (definito al 90% di IPN) contro uno step
di corrente su IPN inferiore a 0,5 µs. Il nucleo
magnetico con un traferro parziale migliora
l›accoppiamento magnetico e, di conseguenza,
migliora la risposta verso di/dt.
La larghezza di banda è limitata solo dalla
frequenza di risonanza dell’avvolgimento se-
condario a circa 100 kHz. Questa risonanza è
dovuta all’induttanza di dispersione e alle ca-
pacità parassite tra gli strati dell’avvolgimento
e tra le spire.
Il rapporto segnale-rumore (SNR, signal-to-
noise ratio) confronta il livello di un
desiderato al livello del di fondo. Esso
viene definito come il rapporto tra potenza del segnale e po-
tenza del rumore, spesso espresso in . Quando una
misura viene digitalizzata, il numero di bit utilizzati per rap-
presentarla determina il massimo valore possibile del rap-
porto segnale-rumore. Grazie all’ottimo valore di SNR, i mo-
delli LF xx10 hanno oltre 14 bit di risoluzione (Fig. 7).
Sono disponibili varie connessioni per il lato secondario, tra
cui connettori, cavi, terminali e perni filettati, in funzione del-
le specifiche dei clienti, oltre a un kit di montaggio per la
barra primaria, che sarà disponibile sui modelli LF 2010.
Poiché le commutazioni nei semiconduttori sono più rapide,
si nota un valore più elevato di dv/dt tra il lato primario (ad
Fig. 5a – Errore generato da una barra blindata in prossimità dell’LF
1010 di fronte al traferro (850 ARMS 50 Hz)
Fig. 5b – Errore generato da una barra blindata in prossimità dell’LF
1010 di fronte al traferro (1.000 A DC)
Fig. 6 – LF 1010, tempo di risposta al 90% di IPN