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POWER 8 - giugno 2015 IV
Power
Le migliori prestazioni offerte dai più recenti dispo-
sitivi di potenza consentono di lavorare con frequen-
ze elevate e di realizzare alimentatori switching più
compatti. Si prevede che i nuovi dispositivi emergenti,
come i MOSFET a super giunzione o i FET in GaN,
rimpiazzeranno presto i dispositivi tradizionali come i
MOSFET in silicio o gli IGBT. Grazie a tali dispositivi
di potenza innovativi, sono già stati sviluppati e com-
mercializzati alimentatori switching che lavorano a
frequenze elevate, da poche centinaia di kHz a oltre
1 MHz. Il funzionamento ad alta frequenza permette
di ridurre il costo dei circuiti di potenza grazie alla ri-
duzione delle dimensioni dei componenti magnetici.
Ne consegue una riduzione di peso e ingombro delle
soluzioni progettate. Tuttavia, una maggiore frequenza
di commutazione aumenta le perdite dei dispositivi di
potenza. La fonte principale di perdite in un alimen-
tatore switching è associata ai dispositivi di potenza a
stato solido. Di conseguenza, la scelta del dispositivo di
potenza ottimale è essenziale nella progettazione dei
circuiti elettronici.
Hisao Kakitani
Ryo Takeda
La carica di gate: un elemento
sempre più importante
Come scegliere il miglior dispositivo di potenza per il progetto di circuiti elettronici tramite
la caratterizzazione della carica di gate
Fig. 1 – Le perdite nei dispositivi di potenza rappre-
sentano il contributo dominante delle perdite dell’in-
tero circuito
Fig. 2 – Driving loss e Switching loss in funzione della frequenza