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XV

POWER 14 -

SETTEMBRE 2017

MOSFET

I MOSFET SIC di-

screti possono sosti-

tuire gli equivalenti

dispositivi in silicio

negli alimentatori

ausiliari utilizzati nei

sistemi industriali trifa-

se, offrendo una soluzione più compatta e più efficiente.

ROHM Semiconductor propone una serie di esempi ap-

plicativi basati sulla tecnologia SiC e su soluzioni integra-

te dedicate, che facilitano lo sviluppo degli alimentatori

ausiliari, riducendo i tempi di progettazione e acceleran-

do il time to market.

I convertitori di potenza utilizzati nei sistemi industria-

li, come inverter fotovoltaici (PV), sistemi di continuità

(UPS) e azionamenti per motori, richiedono sempre di

un’unità di alimentazione ausiliaria (AUX). Tale unità

fornisce l’alimentazione necessaria per le periferiche di

sistema – quali microprocessore, display LCD, sensori,

ventilatori – così come i gate driver all’interno del circu-

ito di alimentazione principale.

La potenza di uscita di questi alimentatori AUX, che

operano a bassa tensione continua, è nell’ordine delle

decine di Watt. La configurazione normalmente utilizza-

ta è di tipo flyback, mentre i livelli di tensione in ingres-

so possono arrivare fino a 480 Vac (nei sistemi trifase) o

a 900 Vdc.

Considerando la tensione riflessa sul lato primario du-

rante lo stato di blocco, i rumori sulla linea, le sovraten-

sioni indotte e il margine tenuto in fase progettuale, è

normalmente necessario uno switch di potenza con ten-

sione nominale superiore a 1500V.

Utilizzando dispositivi standard in silicio, per esempio

dispositivi a bassa tensione oppure soluzioni inefficien-

ti come i MOSFET in silicio da 1500V (che presentano

perdite elevate e richiedono dissipatori ingombranti e

costosi), le possibili implementazioni diventano com-

plesse ed inefficienti.

Al fine di superare questi limiti è possibile utilizzare un

unico dispositivo ad alte prestazioni come ad esempio

un MOSFET SiC da 1700V.

Come mostrato in figura 1, ROHM offre una famiglia

di MOSFET SiC da 1700V che include versioni con re-

sistenza di conduzione di 0,75Ω e 1,15Ω, disponibili in

2 diversi package, cioè TO-268-2L e TO-3PFM . Il primo

package è di tipo SMD, mentre il secondo è totalmente

resinato e isolato. Entrambi prevedono valori di creepa-

ge estesi, rispettivamente 5 mm e 5,45 mm.

MOSFET SiC da 1700V e controllore

quasi-risonante:

una soluzione

efficiente per alimentatori ausiliari

ROHM Semiconductor propone una serie di esempi applicativi basati sulla tecnologia

SiC e su soluzioni integrate dedicate che facilitano lo sviluppo degli alimentatori

ausiliari, riducendo i tempi di progettazione e accelerando il time to market

Fig. 1

– Famiglia di MOSFET SiC da 1700V di ROHM Semiconductor

1700V

TO-268-2L SCT2750NY SCT2H12NY

TO-3PFM

-

SCT2H12NZ

Power

Field application engineer

Application engineer power

ROHM Semiconductor