I transistor Gen 7 di EPC entrano in produzione di massa

EPC (Efficient Power Conversion) ha annunciato l’inizio della produzione in volumi del suo primo dispositivo eGaN di settima generazione (Gen 7). Si tratta del modello EPC2366, un transistor di potenza che, secondo le informazioni del produttore, può raggiungere prestazioni fino a 3 volte superiori rispetto ai MOSFET al silicio equivalenti.

Con un RDS(on) tipico di 0,84 mΩ e caratteristiche in grado di ridurre simultaneamente le perdite di conduzione e commutazione, migliora al contempo le prestazioni termiche. Progettato per sistemi di alimentazione ad alta efficienza e alta densità, il nuovo dispositivo può essere utilizzato per la rettificazione sincrona, la conversione CC-CC ad alta densità, negli alimentatori per server AI e negli azionamenti motore avanzati.

In nuovo componente  supporta tensioni drain-source fino a 40 V e tensioni transitorie fino a 48 V, con correnti di drain continue fino a 88 A e correnti pulsate di 360 A, rendendolo utilizzabile anche per i sistemi di alimentazione più esigenti.

Il dispositivo, inoltre, è termicamente ottimizzato per ottenere un’elevata densità di potenza grazie al suo package PQFN da 3,3×2,6 mm con una resistenza termica dalla giunzione al case di 0,6 °C/W.

EPC2366 a 40 V è il primo componente di una nuova famiglia a entrare in produzione di massa, ma EPC sta già campionando i transistor di settima generazione a 25 V e 15 V e prevede ulteriori transizioni alla fase di produzione in volumi nella prima metà del 2026.

Per accelerare la progettazione e la valutazione, il produttore offre anche la scheda di valutazione half-bridge EPC90167, che integra due transistor EPC2366.

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