Transistor bipolari: una valida alternativa ai MOSFET

Dalla rivista:
Elettronica Oggi

 

Gli interruttori digitali vengono solitamente realizzati utilizzando i MOSFET, ma i transistor a giunzione bipolare sono diventati un’alternativa da considerare seriamente in presenza di modelli con basse tensioni di saturazione. Per applicazioni con basse tensioni e correnti, essi offrono non solo un’amplificazione di corrente superiore, ma anche vantaggi in termini
di costi

Leggi l’articolo completo su EO 495

Thomas Bolz Product manager, Standard products - Rutronik

Contenuti correlati

• 
  Diodes presenta un latch Hall ad alta sensibilità

  Diodes ha annunciato l’ampliamento della sua linea di latch ad effetto Hall AH371xQ per applicazioni automotive. Questi componenti sono utilizzabili per il controllo di motori che richiedono il funzionamento a soglie magnetiche molto basse e comportamenti di...
• 
  Toshiba: Mosfet a 80 V per automotive

  I Mosfet XPH2R608QB e XPH3R908QB di Toshiba sono componenti a canale N da 80 V conformi allo standard AEC-Q101, che espandono la gamma a supporto dei sistemi automotive a 48 V. Questi prodotti sono realizzati utilizzando il...
• 
  ReDriver a quattro canali da Diodes

  Diodes ha realizzato PI3EQX32904Q, un ReDriver lineare a quattro canali da 32 Gbps, conforme agli standard automotive. Questo componente ottimizza l’integrità del segnale per protocolli ad alta velocità come per esempio la specifica PCI Express (PCIe) 5.0,...
• 
  Diodes: un generatore di clock per PCIe 7.0

  PI6CG33A06 è un nuovo generatore di clock, sviluppato da Diodes, dotate di sei uscite e caratterizzato da un jitter estremamente basso. Questo componente è stato progettato per soddisfare i requisiti della specifica PCI Express (PCIe) 7.0, conservando...
• 
  Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm

  Rohm  ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC,  Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive,...
• 
  Rutronik distribuisce la serie Racpro1 di Recom

  Rutronik amplia il suo portfolio di soluzioni di alimentazione e protezione per sistemi industriali con una nuova generazione di componenti modulari per guida DIN realizzati da Recom. Si tratta di una gamma che comprende gli alimentatori Racpro1-S...
• 
  Nuova tecnologia per i Mosfet di Toshiba

  Toshiba Electronics Europe ha sviluppato un Mosfet a canale N da 40 V basato sul processo produttivo U-MOS11-H di ultima generazione. Il dispositivo, siglato TPHR6704RL, è ottimizzato per l’impiego negli alimentatori a commutazione utilizzati nei data center,...
• 
  Resistori di alta precisione da Rutronik

  Rutronik ha annunciato di aver aggiunto al suo portfolio di componenti la serie di resistori a film sottile RP di Yageo, specificamente progettata per applicazioni di alta precisione e stabilità. Peculiarità di questi componenti è l’elevata stabilità...
• 
  Diodes amplia l’offerta di Mosfet per automotive

  Diodes ha aggiunto al suo portfolio di Mosfet a canale N con package PowerDI8080-5 conformi agli standard automotive un componente da 100 V con una resistenza RDS(ON) particolarmente bassa. Questo Mosfet è stato introdotto insieme a nuovi...
• 
  Sette nuovi Mosfet a super giunzione da Toshiba

  Toshiba ha esteso la sua serie di Mosfet Dtmosvi 600 V con struttura a super giunzione con i nuovi componenti a canale N Dtmosvi 600 V HSD (con diodo ad alta velocità). Si tratta di sette nuovi...