Toshiba introduce nuovi MOSFET a canale P

Toshiba Electronics Europe ha annunciato due nuovi MOSFET a canale P da 60V basati sul processo U-MOS VI dell’azienda.

I nuovi MOSFET XPH8R316MC e XPH13016MC sono qualificati in conformità allo standard AEC-Q101 per l’affidabilità automotive. Le connessioni in rame all’interno del package riducono la resistenza, migliorano l’efficienza e riducono l’accumulo di calore.

Entrambi i dispositivi sono in grado di funzionare con temperature di canale (Tch) fino a 175ºC.

La massima resistenza di On al drain-source (RDS(ON)) dell’XPH8R316MC è di 8,3mΩ. Per il MOSFET XPH13016MC, questo parametro è invece di 12,9mΩ. Questi valori estremamente ridotti di RDS(ON) contribuiscono in modo significativo a ridurre il consumo energetico nelle applicazioni automotive.

I nuovi dispositivi sono in produzione in volumi.

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