Toshiba Electronics: MOSFET a bassa tensione e alta corrente per commutazioni veloci

Toshiba Electronics Europe (TEE) estende la famiglia di MOSFET di potenza da 30 V con nuovi dispositivi che combinano commutazioni ad alta velocità, correnti nominali elevate e un contenitore dalla forma compatta. I nuovi dispositivi della famiglia TPCx sono adatti per una vasta gamma di elettrodomestici digitali, sistemi per l’ufficio e altri prodotti che richiedono una conversione DC/DC a raddrizzamento sincrono.

Basati sul processo Toshiba di settima generazione UMOS VII-H, i nuovi prodotti della famiglia TPCx di MOSFET di potenza a bassa tensione comprendono nove dispositivi in contenitori SOP-8 e nel nuovo formato TSON Advance. Quest’ultimo fa da ponte tra i formati industriali SOT23 e SOP8: con un ingombro di soli 3,3 mm x 3,3 mm, questo contenitore occupa il 64% in meno di spazio rispetto a un dispositivo SOP-8 di pari potenza nominale.

La struttura a trincea a bassa tensione dei dispositivi UMOS VII-H di Toshiba permette ai nuovi MOSFET di combinare una bassa resistenza di conduzione (R_DS(ON)) con una commutazione ad alta velocità. Inoltre, la bassa resistenza interna di gate e il basso rapporto di capacità di gate C_gd/C_gs riducono la possibilità di attivazioni indesiderate.

Tutti i nuovi MOSFET presentano una tensione V_DSS massima di 30 V e una tensione V_GSS massima di ±20 V. La R_DS(ON) (V_GS = 10 V) va tipicamente da 20 mΩ a soli 6,0 mΩ, a seconda del dispositivo scelto. I dispositivi TPC806x-H e TPC822x-H sono disponibili rispettivamente in contenitori SOP-8 e SOP-8 dual-chip. I modelli TPCC806x-H in contenitore TSON Advance hanno una base metallica che permette di dissipare fino a 1,9 W di potenza. 

Contenuti correlati

• 
  I nuovi Mosfet Super Junction da 600 V di Rohm

  Rohm  ha ampliato la gamma di Mosfet Super Junction da 600 V con due nuove serie, siglate rispettivamente R60xxXNx e R60xxWNx. Una peculiarità interessante è che l’azienda propone questi componenti in un package per montaggio superficiale dalle elevate...
• 
  Package innovativo per il nuovo Mosfet di AOS

  Alpha and Omega Semiconductor (AOS) ha presentato AOPL66801, un Mosfet a 80 V caratterizzato da un package innovativo. Il nuovo componente utilizza infatti un DFN6x5 AmpStack, basato su una tecnologia a die stacked che consente la realizzazione...
• 
  Toshiba amplia la gamma di Mosfet di potenza

  Toshiba Electronics Europe ha realizzato un nuovo Mosfet di potenza a canale N da 80 V destinato ad applicazioni come per esempio alimentatori industriali switching ad alta efficienza integrati in data center e stazioni base di comunicazione....
• 
  Nove Mosfet di potenza da Toshiba

  Toshiba ha aggiunto alla sua offerta di Mosfet di potenza nove dispositivi disponibili in tre tipi di package a elevata dissipazione di calore. La nuova gamma utilizza infatti i package SOT-23F, TSOP6F e UDFN6B e sono destinati a...
• 
  Rohm amplia l’offerta di Mosfet per automotive

  Sono destinati ai sistemi di alimentazione in ambito automotive i nuovi Mosfet della serie AG16xFNxx di Rohm. Si tratta di componenti da 80V progettati per i sistemi di alimentazione a 48 V che si stanno affermando come...
• 
  Toshiba: Mosfet a 80 V per automotive

  I Mosfet XPH2R608QB e XPH3R908QB di Toshiba sono componenti a canale N da 80 V conformi allo standard AEC-Q101, che espandono la gamma a supporto dei sistemi automotive a 48 V. Questi prodotti sono realizzati utilizzando il...
• 
  Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm

  Rohm  ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC,  Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive,...
• 
  Nuova tecnologia per i Mosfet di Toshiba

  Toshiba Electronics Europe ha sviluppato un Mosfet a canale N da 40 V basato sul processo produttivo U-MOS11-H di ultima generazione. Il dispositivo, siglato TPHR6704RL, è ottimizzato per l’impiego negli alimentatori a commutazione utilizzati nei data center,...
• 
  Diodes amplia l’offerta di Mosfet per automotive

  Diodes ha aggiunto al suo portfolio di Mosfet a canale N con package PowerDI8080-5 conformi agli standard automotive un componente da 100 V con una resistenza RDS(ON) particolarmente bassa. Questo Mosfet è stato introdotto insieme a nuovi...
• 
  Sette nuovi Mosfet a super giunzione da Toshiba

  Toshiba ha esteso la sua serie di Mosfet Dtmosvi 600 V con struttura a super giunzione con i nuovi componenti a canale N Dtmosvi 600 V HSD (con diodo ad alta velocità). Si tratta di sette nuovi...