TI espande la sua gamma di FET GaN - Elettronica Plus

TI espande la sua gamma di FET GaN

Pubblicato il 1 dicembre 2023
TI

Texas Instruments (TI) ha annunciato di aver ampliato la sua gamma di prodotti basati su tecnologia GaN con nuovi FET con gate driver integrati, tra cui i dispositivi LMG3622, LMG3624 e LMG3626, che permettono di raggiungere velocità di commutazione più elevate, contribuendo a proteggere gli alimentatori da un eccessivo riscaldamento. I progettisti possono raggiungere un’efficienza del sistema anche del 94% per applicazioni in CA/CC inferiori a 75 W oppure superiore al 95% per applicazioni in CA/CC superiori 75 W. Grazie ai nuovi dispositivi i progettisti possono inoltre ridurre le dimensioni della soluzione (per un tipico alimentatore da 67 W anche del 50% rispetto alle soluzioni basate su silicio).

La gamma è ottimizzata per le topologie più diffuse per la conversione di potenza in CA/CC.

“I consumatori di oggi cercano alimentatori più piccoli, più leggeri e più comodi da portare con sé, che offrano inoltre una ricarica rapida ed efficiente dal punto di vista energetico”, ha detto Kannan Soundarapandian, Direttore Generale del settore High Voltage Power di TI. “Con l’espansione della nostra gamma, i progettisti possono portare i vantaggi della densità di potenza della tecnologia GaN a bassa potenza in più applicazioni utilizzate dai consumatori ogni giorno, come i telefoni cellulari e i computer portatili, gli alimentatori delle TV e le prese a muro USB. Inoltre, la gamma di TI risponde alla crescente domanda di progetti compatti e ad alta efficienza nei sistemi industriali, come gli utensili elettrici e gli alimentatori ausiliari per server”.



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