Simposio internazionale sulle nanotecnologie presso gli HP Labs

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HP ha illustrato in un unico documento la propria strategia per quanto riguarda il superamento delle tradizionali tecnologie al silicio e il futuro dell’informatica. La vision della società e le problematiche del settore sono state riassunte e pubblicate in un’edizione speciale dedicata alle nanotecnologie da Applied Phisics A, testata internazionale che ha per obiettivo la pubblicazione rapida di esperimenti e indagini teoriche nel campo della ricerca applicata.

L’argomento verrà ulteriormente trattato nell’ambito del simposio internazionale sulle nanotecnologie, che si terrà il 25 marzo prossimo presso gli HP Labs e al quale si potrà accedere solo su invito.

Sul tema, Stan Williams, senior yellow di Hp e Director del progetto QSR (Quantum Science Research) presso gli HP Labs, ha affermato: “Siamo convinti di disporre concretamente di una strategia completa che ci permetterà di superare l’informatica basata sul silicio consentendoci di entrare nel mondo dell’elettronica su scala molecolare. Il nostro approccio si muove in tre direzioni: ricerca scientifica di base sugli effetti quantici che dominano l’area delle tecnologie nanometriche, implementazione di una nuova architettura in grado di tollerare i difetti dei componenti dei circuiti di dimensioni molecolari e sviluppo di metodi di produzione efficienti sotto il profilo dei costi”.

La vision di HP si basa sull’architettura crossbar, brevettata dalla società, che si compone di un gruppo di nanocavi in parallelo, che corrono perpendicolarmente a un altro gruppo e comprimono un sottile strato di materiale sollecitabile elettricamente. Ciascuna intersezione dei cavi può quindi formare un interruttore elettrico che può essere programmato allo scopo di configurare il crossbar affinché esegua varie funzioni, quali la memorizzazione di un bit o l’esecuzione di un’operazione logica. L’architettura crossbar è virtualmente più semplice e meno costosa da produrre rispetto alle tradizionali tecnologie basate sul silicio, in quanto non richiede il medesimo livello di precisione meccanica, ma è invece predisposta per tollerare gli inevitabili difetti cui si incorre durante i processi di fabbricazione di elementi di dimensioni così piccole.

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