Rutronik Embedded: moduli di memoria Embedded Flash NAND di Toshiba

I nuovi moduli di memoria embedded flash NAND integrano circuiti NAND fabbricati con tecnologia di processo di seconda generazione a 19nm. Sono interamente compatibili con il recente standard MC(TM) e sono progettati per essere utilizzati in un’ampia gamma di prodotti digitali di largo consumo, tra cui smartphone, tablet e videocamere digitali. I moduli sono da ora disponibili tramite il distributore Rutronik.

Per il momento, i moduli di memoria sono ottenibili in due varianti: uno, la variante di 16GB (THGBMBG7D2KBAIL) nel contenitore FBGA a 153 sfere di 11,5 x 13 x 0,8mm e due, la variante di 32GB (THGBMBG8D4KBAIR) nel contenitore FBGA a 153 sfere di 11,5 x 13 x 1,0mm. Moduli con memorie da 4GB, 8GB, 64GB e 128GB seguiranno. Tutti i circuiti comprenderanno un controller con le principali funzioni di gestione per applicazioni con memorie NAND.

Il dispositivo embedded da 32GB integra quattro circuiti NAND da 64Gbit (corrispondenti a 8GB). È conforme alle specifiche JEDEC e.MMC(TM) Versione 5.0. L’interfaccia conforme  a queste specifiche svolge funzioni essenziali, come la gestione dei blocchi di scrittura, la correzione degli errori e il software di pilotaggio. Semplifica lo sviluppo del sistema, permettendo ai costruttori di ridurre al minimo i costi di sviluppo e velocizza i tempi di commercializzazione per prodotti nuovi e upgrade.

lv

Contenuti correlati

• 
  Nuovi switch ad alta velocità da Toshiba

  Toshiba ha realizzato due nuovi switch multiplexer/demultiplexer per segnali differenziali ad alta velocità. I nuovi prodotti, siglati rispettivamente TDS5B212MX e TDS5C212MX, supportano interfacce ad alta velocità e possono essere utilizzati per server, tester industriali, robot e applicazioni correlate....
• 
  Nove Mosfet di potenza da Toshiba

  Toshiba ha aggiunto alla sua offerta di Mosfet di potenza nove dispositivi disponibili in tre tipi di package a elevata dissipazione di calore. La nuova gamma utilizza infatti i package SOT-23F, TSOP6F e UDFN6B e sono destinati a...
• 
  Due nuovi isolatori digitali da Toshiba

  La nuova serie DCL341x0B di Toshiba è composta da due isolatori digitali a quattro canali utilizzabili per dispositivi industriali e consumer. Per quanto riguarda le principali caratteristiche tecniche, i nuovo prodotti offrono un consumo energetico di 0,18...
• 
  Toshiba: Mosfet a 80 V per automotive

  I Mosfet XPH2R608QB e XPH3R908QB di Toshiba sono componenti a canale N da 80 V conformi allo standard AEC-Q101, che espandono la gamma a supporto dei sistemi automotive a 48 V. Questi prodotti sono realizzati utilizzando il...
• 
  Toshiba presenta sei bus transceiver

  Toshiba Electronics Europe ha aggiunto sei nuovi bus transceiver a doppia alimentazione alla sua serie 74AVC. Si tratta di quattro modelli a 1 bit (74AVC1T45NX, 74AVCH1T45NX, 74AVC1T45FU e 74AVCH1T45FU) e due nuovi prodotti a 2 bit (74AVC2T45FK...
• 
  Sette nuovi Mosfet a super giunzione da Toshiba

  Toshiba ha esteso la sua serie di Mosfet Dtmosvi 600 V con struttura a super giunzione con i nuovi componenti a canale N Dtmosvi 600 V HSD (con diodo ad alta velocità). Si tratta di sette nuovi...
• 
  Fotorelè di nuova generazione da Toshiba

  I quattro nuovi fotorelè di Toshiba Electronics Europe sono destinati a rispondere alle esigenze dei progettisti che operano su apparecchiature di test e misura di prossima generazione. I nuovi prodotti sono siglati TLP3407SRB, TLP3412SRB, TLP3412SRHB e TLP3412SRLB e...
• 
  Toshiba presenta uno switch high-side per automotive

  Il nuovo switch high-side TPD7110F di Toshiba Electronics Europe opera come controller a diodo ideale con protezione contro l’inversione di polarità e una funzione di blocco della corrente, contribuendo alla sicurezza dell’alimentazione nei sistemi automotive. Il nuovo componente...
• 
  Toshiba presenta due controller per motori trifase BLDC

  Toshiba Electronics Europe ha realizzato due controller per l’azionamento di motori DC trifase senza spazzole (BLDC), che possono supportare sia motori a magneti permanenti superficiali (SPM) che quelli a magneti permanenti interni (IPM), con bassa rumorosità e...
• 
  Toshiba presenta un MOSFET DTMOSVI da 600 V

  TK057V60Z è un nuovo MOSFET a super giunzione a canale N di Toshiba che offre una tensione drain-source (VDSS) di 600 V con una corrente di drain (ID) fino a 40 A. Le altre principali caratteristiche tecniche...