Package innovativo per il nuovo Mosfet di AOS

Alpha and Omega Semiconductor (AOS) ha presentato AOPL66801, un Mosfet a 80 V caratterizzato da un package innovativo. Il nuovo componente utilizza infatti un DFN6x5 AmpStack, basato su una tecnologia a die stacked che consente la realizzazione di progetti ad alta densità per diverse applicazioni di conversione di potenza.

Il package di AOS permette infatti lo stacking verticale di due Mosfet collegati come Mosfet high-side e low-side, formando un semiponte. Questa configurazione aumenta efficacemente la densità di potenza e massimizza lo spazio disponibile sul PCB rispetto a una soluzione con due Mosfet discreti.

AOPL66801 offre inoltre un design ottimizzato del collegamento tra i due Mosfet, minimizzando l’induttanza parassita tra i Mosfet high-side e low-side. Il layout del PCB può infatti influenzare le prestazioni di pilotaggio del gate e degradare le prestazioni di commutazione a causa dell’induttanza parassita. Il produttore precisa che, rispetto a una soluzione discreta standard, AOPL66801 minimizza l’induttanza parassita sul PCB, e riduce lo stress sul Mosfet.

Il nuovo componente di AOS è dotato di un pin di rilevamento Kelvin che mantiene la stabilità della tensione di gate durante le commutazioni con elevato di/dt e fornisce un percorso di pilotaggio più efficace per il lato alto, riducendo le perdite. Inoltre, il Mosfet ha una temperatura di giunzione massima di 175 °C.

Contenuti correlati

• 
  Toshiba amplia la gamma di Mosfet di potenza

  Toshiba Electronics Europe ha realizzato un nuovo Mosfet di potenza a canale N da 80 V destinato ad applicazioni come per esempio alimentatori industriali switching ad alta efficienza integrati in data center e stazioni base di comunicazione....
• 
  Nove Mosfet di potenza da Toshiba

  Toshiba ha aggiunto alla sua offerta di Mosfet di potenza nove dispositivi disponibili in tre tipi di package a elevata dissipazione di calore. La nuova gamma utilizza infatti i package SOT-23F, TSOP6F e UDFN6B e sono destinati a...
• 
  Rohm amplia l’offerta di Mosfet per automotive

  Sono destinati ai sistemi di alimentazione in ambito automotive i nuovi Mosfet della serie AG16xFNxx di Rohm. Si tratta di componenti da 80V progettati per i sistemi di alimentazione a 48 V che si stanno affermando come...
• 
  Toshiba: Mosfet a 80 V per automotive

  I Mosfet XPH2R608QB e XPH3R908QB di Toshiba sono componenti a canale N da 80 V conformi allo standard AEC-Q101, che espandono la gamma a supporto dei sistemi automotive a 48 V. Questi prodotti sono realizzati utilizzando il...
• 
  Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm

  Rohm  ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC,  Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive,...
• 
  L’innovazione di AOS

  Alpha and Omega Semiconductor (AOS) ha annunciato l’inaugurazione ufficiale del nuovo stabilimento Osat di Kaynes Semicon a Sanand, Gujarat, un passo particolarmente importante per l’avvio della produzione di nuovi moduli di potenza. Presso la fabbrica è stato implementato...
• 
  Nuova tecnologia per i Mosfet di Toshiba

  Toshiba Electronics Europe ha sviluppato un Mosfet a canale N da 40 V basato sul processo produttivo U-MOS11-H di ultima generazione. Il dispositivo, siglato TPHR6704RL, è ottimizzato per l’impiego negli alimentatori a commutazione utilizzati nei data center,...
• 
  Diodes amplia l’offerta di Mosfet per automotive

  Diodes ha aggiunto al suo portfolio di Mosfet a canale N con package PowerDI8080-5 conformi agli standard automotive un componente da 100 V con una resistenza RDS(ON) particolarmente bassa. Questo Mosfet è stato introdotto insieme a nuovi...
• 
  Sette nuovi Mosfet a super giunzione da Toshiba

  Toshiba ha esteso la sua serie di Mosfet Dtmosvi 600 V con struttura a super giunzione con i nuovi componenti a canale N Dtmosvi 600 V HSD (con diodo ad alta velocità). Si tratta di sette nuovi...
• 
  I nuovi Mosfet di Ideal Semiconductor

  Ideal Semiconductor ha ampliato la sua offerta di Mosfet SuperQ da 200 V con nuovi modelli caratterizzati da valori di RDS (on) particolarmente ridotti. La versione con packge di tipo TOLL offre infatti una RDS(on) massima di...