onsemi will acquire GT Advanced Technologies
onsemi and GT Advanced Technologies (GTAT), a producer of silicon carbide (SiC), announced that they have entered into a definitive agreement under which onsemi will acquire GTAT for $415 million in cash.
The transaction is expected to better position onsemi to secure and grow supply of SiC and meet rapidly growing customer demand for SiC-based solutions in the sustainable ecosystem, including EVs, EV charging and energy infrastructure.
onsemi plans to invest in expanding GTAT’s research and development efforts to advance 150mm and 200mm SiC crystal growth technology, while also investing in the broader SiC supply chain, including Fab capacity and packaging.
The transaction is expected to close in the first half of 2022. Completion of the transaction is subject to regulatory approvals and other customary closing conditions.
Contenuti correlati
-
Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm
Rohm ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC, Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive,...
-
Partnership tra SemiQ e NAC Semi
SemiQ, azienda specializzata in soluzioni in carburo di silicio (SiC), ha annunciato un accordo di distribuzione con NAC Semi(NAC Group), azienda di servizi di progettazione e distribuzione di componenti elettronici. Questa partnership permette un accesso semplificato a...
-
I SiC di Infineon per la bZ4X di Toyota
Infineon Technologies ha comunicato Toyota ha adottato i MOSFET CoolSiC per il suo nuovo modello bZ4X. Nello specifico, questi componenti di Infineon sono stati integrati nel caricabatterie di bordo (OBC) e nel convertitore CC/CC. I MOSFET CoolSiC sfruttano...
-
Nuovo webinar da Mouser e onsemi
Mouser Electronics e onsemi propongono un webinar gratuito dal titolo “How SiC JFETs Are Transforming Circuit Protection and Power Electronics” che si terrà alle 17:00 CET del 2 dicembre 2025. Il webinar sarà condotto da Mark Patrick,...
-
Vertical GaN per onsemi
onsemi ha presentato semiconduttori di potenza GaN-on-GaN di nuova generazione che conducono la corrente verticalmente attraverso il semiconduttore composito, consentendo di ottenere tensioni operative più elevate e frequenze di commutazione più rapide, con il conseguente risparmio energetico...
-
ROHM lancia un modulo SiC 2-in-1
ROHM ha annunciato un nuovo modulo SiC 2-in-1 (SCZ40xxDTx, SCZ40xxKTx) DOT-247 . La famiglia è caratterizzata da moduli con una struttura combinata composta da due package TO-247, soluzione che consente di utilizzare chip di grandi dimensioni e...
-
MOSFET SiC 650 V di terza generazione da Toshiba
Toshiba Electronics Europe ha introdotto tre nuovi MOSFET in carburo di silicio (SiC) da 650 V, che integrano i più recenti chip di terza generazione dell’azienda. I modelli , siglati rispettivamente TW027U65C, TW048U65C e TW083U65C, utilizzano un...
-
La tecnologia di onsemi per gli inverter di Schaeffler
onsemi ha annunciato una nuova collaborazione con Schaeffler finalizzata alla realizzazione di una piattaforma basata sulla linea di MOSFET in carburo di silicio EliteSiC di nuova generazione. La soluzione onsemi sarà utilizzata nell’inverter di trazione di Schaeffler,...
-
ROHM presenta nuovi moduli di potenza SiC
ROHM ha aggiunto alla sua offerta di moduli SiC una nuova gamma di prodotti ottimizzati per i convertitori PFC e LLC nei caricabatterie di bordo (OBC) per veicoli elettrici. La nuova gamma comprende sei modelli con tensione...
-
Disponibili in volumi i nuovi MOSFET SiC di Toshiba
Toshiba Electronics Europe ha iniziato le consegne in volumi dei suoi nuovi MOSFET SiC da 650 V di terza generazione. Siglati TW031V65C, TW054V65C, TW092V65C e TW123V65C, questi componenti utilizzano un package compatto di tipo DFN8x8 per apparecchiature...












