Nuovi MOSFET CoolSiC da 1200 V G2 da Infineon

I nuovi MOSFET CoolSiC da 1200 V G2 in package Q-DPAK di Infineon sono caratterizzati da elevate prestazioni termiche, ma anche da efficienza e densità di potenza ottimizzate. Sono stati progettati specificamente per applicazioni industriali complesse che richiedono elevate prestazioni e affidabilità, come per esempio caricabatterie per veicoli elettrici, inverter per applicazioni fotovoltaiche, gruppi di continuità (UPS), azionamenti per motori e interruttori automatici a stato solido.

La nuova tecnologia CoolSiC 1200 V G2 offre miglioramenti significativi rispetto alla generazione precedente, consentendo di ottenere perdite di commutazione fino al 25% inferiori per dispositivi con RDS(on) equivalenti, aumentando l’efficienza del sistema.

Utilizzando la tecnologia di interconnessione die attach .XT di Infineon, i dispositivi G2 raggiungono una resistenza termica inferiore di oltre il 15% e una riduzione dell’11% della temperatura del MOSFET rispetto ai prodotti della famiglia G1. I valori di RDS(on) dichiarati vanno da 4 mΩ a 78 mΩ.

I MOSFET CoolSiC 1200 V G2 sono disponibili in due configurazioni Q-DPAK: single switch e dual half-bridge. Il package Q-DPAK migliora le prestazioni termiche consentendo la dissipazione diretta del calore dalla superficie superiore del dispositivo al dissipatore di calore.

Questo path termico diretto offre un’efficienza di trasferimento del calore significativamente migliore rispetto ai tradizionali package raffreddati dal basso, consentendo di realizzare design più compatti. Inoltre, il layout del package Q-DPAK consente di ridurre al minimo l’induttanza parassita, fondamentale per velocità di commutazione più elevate.

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