Nuova tecnologia di processo BiCmos per National Semiconductor – (New BiCmos Amplifier Process From National Semiconductor)

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Frutto di un lavoro di sviluppo durato due anni, VIP50 è la sigla del nuovo processo BiCmos di tipo SoI (silicon-on-insulator) espressamente concepito per la realizzazione di amplificatori.

Esso consentirà di realizzare prodotti operanti con tensioni di alimentazione comprese tra 0,9 V e 12 V. Questa gamma di tensione copre sia le versioni single-supply sia quelle slit-supply (+5 V/-5 V), comunemente impiegate nelle applicazioni di amplificatori, che utilizzano batterie agli ioni di litio o al nichel cadmio. Il processo VIP50 è inoltre ideale per la realizzazione di amplificatori per applicazioni consumer che richiedono dimensioni ridottissime e sistemi per i segmenti automotive, medicale e industriale che utilizzano amplificatori caratterizzati da elevata precisione.

Questo approccio offre un gran numero di vantaggi rispetto alle soluzioni che utilizzano i convenzionali processi bipolari o Cmos, i cui componenti sono transistori NPN e PNP a struttura verticale, caratterizzati da elevata velocità. L’aggiunta di dispositivi PNP verticali al nuovo processo BiCmos consente la realizzazione di amplificatori con stadi di uscita ben bilanciati e in grado di offrire prestazioni di assoluto rilievo in termini di velocità-potenza.

Contemporaneamente la società ha annunciato l’introduzione dei primi sei amplificatori realizzati sfruttando questo nuovo processo. Essi garantiscono maggiore efficienza, livelli di rumore ridotti e superiore precisione rispetto ai prodotti della concorrenza e dei dispositivi National delle precedenti generazioni. Per esempio il mod. LMV651 con ampiezza di banda di 12 MHz a guadagno unitario assicura risparmi energetici pari al 90% rispetto ad analoghi dispositivi ospitati in contenitori SOT e SC70.

Ulteriori ragguagli su questa nuova tecnologia e i relativi prodotti saranno pubblicati sul numero di novembre di Elettronica Oggi.

Developed specifically with amplifier applications in mind, the VIP50 process will allow amplifier products to be created in a 0.9V up to 12V supply voltage range. This supply voltage range covers both standard DC line voltage standards up to +5V/-5V split supply, common in precision amplifier applications, as well as common battery chemistries such as Li-ion and NiCAD.
The VIP50 process enables amplifier solutions geared toward small-footprint consumer applications, as well as extremely high precision amplifier solutions focused on automotive, medical and industrial applications.
It offers a number of inherent advantages over more conventional bipolar or CMOS processes. The bipolar components are high-speed vertical NPN and PNP transistors. The addition of vertical PNPs to this BiCMOS process enables the implementation of well-balanced amplifier output stages with superior speed-power characteristics.
The first six products manufactured on the VIP50 process offer better power efficiency, lower noise levels and increased precision than National’s previous-generation integrated circuits and competitive products. These improvements allow design engineers to develop higher-performance fuel-injection and transmission systems, as well as medical instrumentation and diagnostic tools. For example, the 12-MHz, unity-gain bandwidth LMV651 amplifier provides 90 percent power savings over major competitive offerings in SOT and SC70 packages. Further details regarding this new technology will be available on the November issue of Elettronica Oggi.

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