MOSFET in package TOLT da Magnachip

Magnachip ha annunciato MDLT080N017RH, un nuovo MOSFET MV MXT da 80 V caratterizzato dall’uso di un package TOLT (TO-Leaded Top-Side Cooling).

Questo tipo di package è in grado di ridurre sostanzialmente la resistenza termica tra la giunzione e l’ambiente esterno, rendendolo particolarmente interessante per l’uso in applicazioni termicamente impegnative, come per esempio scooter elettrici e veicoli elettrici a basso consumo (LEV).

A differenza dei package TOLL (TO-Leadless) convenzionali, che dissipano il calore dal fondo, il package TOLT è progettato per rilasciare il calore direttamente dalla parte superiore tramite un apposito dissipatore metallico.

Il produttore precisa che, durante simulazioni e test svolti dall’azienda, la nuova soluzione di package TOLT MV da 80 V ha permesso di ottenere una riduzione media del 22% della temperatura di giunzione rispetto all’utilizzo di package TOLL standard. Questo sensibile miglioramento offre diversi vantaggi tra cui il prolungamento della vita dell’applicazione e l’aumento dell’affidabilità complessiva del sistema. Inoltre, il package TOLT consente ai progettisti di sviluppare applicazioni compatte e leggere grazie alla sua elevata densità di potenza e all’efficiente flusso termico che non compromette la capacità di gestione della corrente e i margini di sicurezza termica.

L’azienda precisa che ha già iniziato a fornire il nuovo MOSFET a un importante produttore di motori elettrici.

Contenuti correlati

• 
  I nuovi Mosfet Super Junction da 600 V di Rohm

  Rohm  ha ampliato la gamma di Mosfet Super Junction da 600 V con due nuove serie, siglate rispettivamente R60xxXNx e R60xxWNx. Una peculiarità interessante è che l’azienda propone questi componenti in un package per montaggio superficiale dalle elevate...
• 
  Package innovativo per il nuovo Mosfet di AOS

  Alpha and Omega Semiconductor (AOS) ha presentato AOPL66801, un Mosfet a 80 V caratterizzato da un package innovativo. Il nuovo componente utilizza infatti un DFN6x5 AmpStack, basato su una tecnologia a die stacked che consente la realizzazione...
• 
  Toshiba amplia la gamma di Mosfet di potenza

  Toshiba Electronics Europe ha realizzato un nuovo Mosfet di potenza a canale N da 80 V destinato ad applicazioni come per esempio alimentatori industriali switching ad alta efficienza integrati in data center e stazioni base di comunicazione....
• 
  Nove Mosfet di potenza da Toshiba

  Toshiba ha aggiunto alla sua offerta di Mosfet di potenza nove dispositivi disponibili in tre tipi di package a elevata dissipazione di calore. La nuova gamma utilizza infatti i package SOT-23F, TSOP6F e UDFN6B e sono destinati a...
• 
  Rohm amplia l’offerta di Mosfet per automotive

  Sono destinati ai sistemi di alimentazione in ambito automotive i nuovi Mosfet della serie AG16xFNxx di Rohm. Si tratta di componenti da 80V progettati per i sistemi di alimentazione a 48 V che si stanno affermando come...
• 
  Toshiba: Mosfet a 80 V per automotive

  I Mosfet XPH2R608QB e XPH3R908QB di Toshiba sono componenti a canale N da 80 V conformi allo standard AEC-Q101, che espandono la gamma a supporto dei sistemi automotive a 48 V. Questi prodotti sono realizzati utilizzando il...
• 
  Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm

  Rohm  ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC,  Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive,...
• 
  Nuova tecnologia per i Mosfet di Toshiba

  Toshiba Electronics Europe ha sviluppato un Mosfet a canale N da 40 V basato sul processo produttivo U-MOS11-H di ultima generazione. Il dispositivo, siglato TPHR6704RL, è ottimizzato per l’impiego negli alimentatori a commutazione utilizzati nei data center,...
• 
  Diodes amplia l’offerta di Mosfet per automotive

  Diodes ha aggiunto al suo portfolio di Mosfet a canale N con package PowerDI8080-5 conformi agli standard automotive un componente da 100 V con una resistenza RDS(ON) particolarmente bassa. Questo Mosfet è stato introdotto insieme a nuovi...
• 
  Sette nuovi Mosfet a super giunzione da Toshiba

  Toshiba ha esteso la sua serie di Mosfet Dtmosvi 600 V con struttura a super giunzione con i nuovi componenti a canale N Dtmosvi 600 V HSD (con diodo ad alta velocità). Si tratta di sette nuovi...