MOSFET a bassissima resistenza da WeEn Semiconductors

WeEn Semiconductors  ha realizzato un MOSFET a super giunzione da 600 V per sistemi di alimentazione di server e per telecomunicazioni.

Siglato WSJ2M60R065DTL, il nuovo componente è stato specificamente sviluppato per soddisfare le esigenze di alimentazione di applicazioni di elaborazione ad alte prestazioni, come per esempio quelle per l’AI, consentendo di ottenere una maggiore efficienza, fattori di forma più compatti e una migliore gestione termica.

Basato sulla tecnologia a super giunzione di ultima generazione dell’azienda, il nuovo MOSFET di WeEn combina una resistenza allo stato di conduzione (RDS(ON)) e una figura di merito (RDS(ON)*Qg) particolarmente interessanti con un package TOLL compatto.

WSJ2M60R065DTL offre infatti una corrente nominale di 50 A, una RDS(ON) massima di 65 mΩ e una tensione di blocco tipica di circa 700 V. Un diodo di recupero diretto (FRD) integrato e ottimizzato garantisce un’elevata robustezza al recupero inverso e prestazioni bilanciate ad alta temperatura.

Il diodo può sopportare una velocità di commutazione di 1000 A/μs senza danni, rendendo il MOSFET particolarmente adatto per applicazioni di commutazione a tensione zero (ZVS) in topologie soft-switching, dove può offrire un’elevata efficienza pur gestendo condizioni operative irregolari. Allo stesso tempo, la stabilità della resistenza fornisce un valore RDS(ON) costante e prevedibile in un ampio intervallo di condizioni di corrente e temperatura.

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