Linear Technology: controller a ponte di diodi ideali con tensione da 9V a 72V - Elettronica Plus

Linear Technology: controller a ponte di diodi ideali con tensione da 9V a 72V

Pubblicato il 6 marzo 2014

Linear Technology ha annunciato le versioni automotive (grado H) e militare ad alta affidabilità (grado MP) dell’LT4320, un controller a ponte di diodi ideali per sistemi da 9V a 72V. L’LT4320 sostituisce un rettificatore a ponte di diodi a onda intera con un ponte di MOSFET a canale N e bassa perdita per ridurre le perdite di potenza e tensione di 10 volte o pi. Le dimensioni dell’alimentatore si riducono, in quanto la maggiore efficienza della potenza elimina gli ingombranti dissipatori. Le applicazioni a bassa tensione traggono vantaggio dal margine extra, possibile risparmiando la caduta di tensione sui due diodi intrinseca nei ponti di diodi. Rispetto all’alternativa tradizionale, il ponte di MOSFET consente di progettare il rettificatore in modo che occupi poco spazio e offra un risparmio energetico. Il funzionamento delle versioni di grado H ed MP garantito su un range di temperature comprese rispettivamente tra -40oC e 125oC e tra -55oC e 125oC.

Il controllo dello switch dell’LT4320 attiva i due MOSFET appropriati, mantenendo spenti gli altri due per impedire le correnti inverse. Una pompa di carica integrata fornisce il gate drive per i MOSFET a canale N esterni a bassa on-resistance senza richiedere condensatori esterni. La scelta dei MOSFET offre la massima flessibilità nei livelli di potenza da uno a migliaia di watt.

L’LT4320 disponibile in due versioni: l’LT4320 progettato per la rettifica della tensione da DC a 60Hz, mentre LT4320-1 ottimizzato per la rettifica da DC a 600Hz raddoppiando la tensione di regolazione source-drain del lato alto. Il dispositivo di grado H offerto nei package DFN e PDIP a 8 pin (3 x 3mm) e MSOP a 12 conduttori con spaziatura dei pin maggiorata per il supporto di tensioni più elevate, mentre la versione di grado MP offerta nel package MSOP a 12 conduttori.

lv



Contenuti correlati

  • Rohm
    I nuovi Mosfet Super Junction da 600 V di Rohm

    Rohm  ha ampliato la gamma di Mosfet Super Junction da 600 V con due nuove serie, siglate rispettivamente R60xxXNx e R60xxWNx. Una peculiarità interessante è che l’azienda propone questi componenti in un package per montaggio superficiale dalle elevate...

  • AOS
    Package innovativo per il nuovo Mosfet di AOS

    Alpha and Omega Semiconductor (AOS) ha presentato AOPL66801, un Mosfet a 80 V caratterizzato da un package innovativo. Il nuovo componente utilizza infatti un DFN6x5 AmpStack, basato su una tecnologia a die stacked che consente la realizzazione...

  • Toshiba
    Toshiba amplia la gamma di Mosfet di potenza

    Toshiba Electronics Europe ha realizzato un nuovo Mosfet di potenza a canale N da 80 V destinato ad applicazioni come per esempio alimentatori industriali switching ad alta efficienza integrati in data center e stazioni base di comunicazione....

  • Toshiba
    Nove Mosfet di potenza da Toshiba

    Toshiba ha aggiunto alla sua offerta di Mosfet di potenza nove dispositivi disponibili in tre tipi di package a elevata dissipazione di calore. La nuova gamma utilizza infatti i package SOT-23F, TSOP6F e UDFN6B e sono destinati a...

  • Rohm
    Rohm amplia l’offerta di Mosfet per automotive

    Sono destinati ai sistemi di alimentazione in ambito automotive i nuovi Mosfet della serie AG16xFNxx di Rohm. Si tratta di componenti da 80V progettati per i sistemi di alimentazione a 48 V che si stanno affermando come...

  • Toshiba
    Toshiba: Mosfet a 80 V per automotive

    I Mosfet XPH2R608QB e XPH3R908QB di Toshiba sono componenti a canale N da 80 V conformi allo standard AEC-Q101, che espandono la gamma a supporto dei sistemi automotive a 48 V. Questi prodotti sono realizzati utilizzando il...

  • Rohm
    Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm

    Rohm  ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC,  Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive,...

  • Toshiba
    Nuova tecnologia per i Mosfet di Toshiba

    Toshiba Electronics Europe ha sviluppato un Mosfet a canale N da 40 V basato sul processo produttivo U-MOS11-H di ultima generazione. Il dispositivo, siglato TPHR6704RL, è ottimizzato per l’impiego negli alimentatori a commutazione utilizzati nei data center,...

  • Diodes
    Diodes amplia l’offerta di Mosfet per automotive

    Diodes ha aggiunto al suo portfolio di Mosfet a canale N con package PowerDI8080-5 conformi agli standard automotive un componente da 100 V con una resistenza RDS(ON) particolarmente bassa. Questo Mosfet è stato introdotto insieme a nuovi...

  • Toshiba
    Sette nuovi Mosfet a super giunzione da Toshiba

    Toshiba ha esteso la sua serie di Mosfet Dtmosvi 600 V con struttura a super giunzione con i nuovi componenti a canale N Dtmosvi 600 V HSD (con diodo ad alta velocità). Si tratta di sette nuovi...

Scopri le novità scelte per te x