Infineon amplia l’offerta della tecnologia CoolSiC

Infineon Technologies ha annunciato una nuova tecnologia CoolSiC: il MOSFET CoolSiC 1200 V M1H. Il chip avanzato al carburo di silicio (SiC) sarà implementato in un ampio portafoglio di prodotti utilizzando la famiglia di moduli Easy, insieme a package discreti che utilizzano la tecnologia di interconnessione .XT.
Il chip M1H offre un’elevata flessibilità ed è adatto per i sistemi fotovoltaici, come gli inverter, che devono soddisfare i picchi di domanda di energia. Il chip è ideale anche per applicazioni come la ricarica rapida di veicoli elettrici, i sistemi di accumulo di energia e altre applicazioni industriali.
Gli ultimi progressi della tecnologia di base CoolSiC consentono di avere una finestra operativa del gate significativamente più ampia che migliora la ON-resistance per una determinata dimensione del die. Allo stesso tempo, la finestra operativa del gate più ampia fornisce un’elevata robustezza contro i picchi di tensione, senza alcuna restrizione anche a frequenze di commutazione più elevate.
Oltre alla famiglia di moduli Easy, il portafoglio CoolSiC MOSFET 1200 V M1H include nuove versioni con ON-Resistance ultra-basse da 7 mΩ, 14 mΩ e 20 mΩ nei package discreti TO247-3 e TO247-4.

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