I MOSFET SiC di ROHM di quarta generazione per gli inverter Hitachi Astemo

I nuovi MOSFET SiC di quarta generazione e i gate driver di ROHM  sono stati scelti da Hitachi Astemo, azienda che sviluppa da diversi anni tecnologie avanzate per motori e inverter per veicoli.

I MOSFET SiC di quarta generazione di ROHM forniscono un tempo di tenuta al cortocircuito ottimizzato in concomitanza con una resistenza di ON particolarmente bassa e consentono quindi l’estensione dell’autonomia di crociera dei veicoli elettrici riducendo del 6% il consumo di energia rispetto agli IGBT quando vengono installati nell’inverter principale.

Questa è la prima volta che i dispositivi SiC saranno adottati per il circuito inverter principale allo scopo di migliorarne ulteriormente le prestazioni. La fornitura degli inverter alle case automobilistiche è prevista con decorrenza dal 2025, iniziando dal Giappone per poi diffondersi all’estero.

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