Freescale espande la premiata famiglia di prodotti Mram

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Freescale Semiconductor ha arricchito la propria famiglia di memorie ad accesso casuale magnetoresistive (Mram) con l’introduzione della prima memoria non volatile (nvRam) al mondo a 3 V, da 4 Mbit e con range di temperatura esteso (da -40 a +105 °C). Tale dispositivo potrà trovare applicazione negli ambienti più difficili, come quello della progettazione industriale, militare, aerospaziale e dell’automobile.

L’azienda ha ampliato anche la sua linea commerciale di memorie Mram con un dispositivo da 1 Mbit in grado di fornire ai progettisti di sistemi una densità particolarmente adatta a soddisfare il segmento principale del mercato dei prodotti embedded. Prevede inoltre di espandere la propria famiglia di prodotti Mram, che nel corso del terzo trimestre 2007 comprenderà ben nove prodotti tra commerciali, industriali e a temperatura estesa.

Le memorie Mram utilizzano materiali magnetici in combinazione con i circuiti convenzionali in silicio, raggiungendo così la velocità delle memorie Sram, con la non volatilità delle memorie Flash, il tutto racchiuso in un unico dispositivo dalla durata illimitata. Possono essere utilizzate nei buffer cache, per le memorie di salvataggio configurazione e per altre applicazioni commerciali che richiedono velocità, resistenza e non volatilità.

Il nuovo intervallo di temperature estese di Freescale consente l’impiego delle memorie Mram sia per le applicazioni industriali, sia per le applicazioni nell’automobile, settori, questi, che richiedono semiconduttori idonei a resistere ad ambienti operativi impegnativi e a gamme di temperature estreme.

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