Fairchild Semiconductor: soluzione integrata per stadi di potenza - Elettronica Plus

Fairchild Semiconductor: soluzione integrata per stadi di potenza

Pubblicato il 29 maggio 2012

La famiglia FDMF6708N Generation II XS DrMOS introdotta recentemente da Fairchild Semiconductor rappresenta una soluzione integrata per stadi di potenza, compatta e completamente ottimizzata per applicazioni buck DC-DC sincrone ad alta frequenza e correnti elevate.

Il dispositivo FDMF6708N integra un circuito driver, due MOSFET di potenza e un diodo Schottky di bootstrap all’interno di un package standard PQFN Intel DrMOS v 4.0 da 6×6 mm2 termicamente avanzato.

La soluzione FDMF6708N dimezza gli ingombri offrendo un’elevata frequenza di commutazione e un’alta densità di potenza. La funzione Zero Cross Detect (ZCD) migliora l’efficienza in presenza di carichi leggeri estendendo l’autonomia della batteria. Il dispositivo garantisce alta efficienza anche a pieno carico grazie alla tecnologia di controllo di FET e SyncFET, oltre a un packaging clip-bond con una ridotta induttanza di source.

Il dispositivo è indicato per applicazioni che richiedono una frequenza di commutazione compresa tra 600 kHz e 1,0 MHz, anche con una tensione di ingresso di 20 V.

Grazie a FDMF6708N i progettisti possono utilizzare condensatori e induttori più piccoli per produrre notebook e ultrabook più sottili e più efficienti dal punto di vista energetico e della dissipazione di calore.



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