Fairchild Semiconductor amplia la famiglia di Mosfet PowerTrench
Fairchild Semiconductor ha recentemente ampliato la propria offerta di Mosfet PowerTrench. Appartenenti alla gamma di Mosfet a media tensione, i nuovi dispositivi sono commutatori di potenza ottimizzati che combinano una piccola carica di gate (QG), una piccola carica di recovery inverso (Qrr) e un diodo soft-recovery incorporato per recupero inverso per raggiungere velocità di commutazione elevate.
Disponibili nelle versioni da 40, 60 e 80, i Mosfet PowerTrench richiedono una minore dissipazione di potenza nei circuiti di soppressione più semplici grazie a un diodo soft incorporato che riduce gli spike di tensione fino al 15% in meno rispetto alle soluzioni concorrenti.
Adottando una tecnologia shielded-gate per assicurare il bilanciamento di carica, i Mosfer offrono una maggiore densità di potenza, bassi livelli di ringing e una miglior efficienza in condizioni di carico leggero. I dispositivi raggiungono inoltre un fattore di merito (QG x RDSON) inferiore riducendo le perdite nel driver del gate per aumentare l’efficienza.
I Mosfet sono indicati per la progettazione di server, sistemi di telecomunicazione e sistemi di alimentazione AC-DC e nelle applicazioni di rettificazione sincrona per dispositivi SMPS (Switch-Mode Power Supply) dove sono richieste soluzioni economiche e in grado di minimizzare lo spazio occupato su scheda aumentando nel contempo l’efficienza e riducendo la dissipazione di energia.
I primi dispositivi disponibili sono i modelli da 40 V FDMS015N04B e da 80 V FDMS039N08B proposti in package Power56, e i modelli da 60 V FDP020N06B e da 80 V FDP027N08B forniti in un package TO-220 a 3 pin.
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