Dram in quantità industriali

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Elpida Memory, il costruttore giapponese di Dram (Dynamic Random Access Memory), ha programmato una spesa di 500 miliardi di yen (circa 3.8 miliardi di euro), nei prossimi tre anni, per la costruzione di quello che dovrà diventare il più grande impianto al mondo dedicato alla costruzione di wafer su silicio.

Il nuovo impianto sarà adiacente allo stabilimento di Elpida sito ad Hiroshima, nella parte sud ovest del Giappone. L’impianto preesistente già produce Dram ma è previsto, anche per questa installazione, un aumento della produzione. Il nuovo impianto completerà il precedente e, in pratica, ne raddoppierà la capacità produttiva.

Il nuovo stabilimento produrrà wafer da 300 mm utilizzando la tecnologia da 85 nanometri e sarà pronto per la produzione di massa nella seconda metà del 2005. La tecnologia che permetterà componenti della grandezza di 85 nanometri sarà introdotta già dalla fine di quest’anno. Quando l’impianto sarà a regime avrà una capacità massima di 60000 wafer al mese.

Elpida prevede di costruire memorie (Ddr2 Sdram) da un Gigabit e dispositivi Ram portatili, per le applicazioni di telefonia mobile, oltre che dispositivi in tecnologia da 0.11 micron per il mercato dei prodotti digitali di consumo.

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