Da TI nuovi gate driver per lo spazio

Texas Instruments (TI) ha annunciato una nuova famiglia di gate driver di tipo half-bridge per FET al nitruro di gallio (GaN), resistenti e tolleranti alle radiazioni (radiation-hardened e radiation-tolerant) e con una versione in grado di supportare fino a 200 V in funzionamento.Questi dispositivi sono disponibili in package in ceramica e plastica compatibili pin-to-pin, e supportano tre livelli di tensione.

Il gate driver FET GaN da 200 V è adatto per i sistemi di propulsione e conversione della potenza in ingresso nei pannelli fotovoltaici. Le versioni da 60 V e 22 V, invece, sono pensate per la distribuzione e la conversione di energia in tutto il satellite.

Le opzioni radiation-hardened per i package, qualificate per l’uso spaziale per tre livelli di tensione, sono quelle Qualified Manufacturers List (QML) Class P e QML Class V, rispettivamente in plastica e ceramica. Per i prodotti radiation-tolerant, invece, il package è di tipo Space Enhanced Plastic (SEP).

TI precisa che le quantità di produzione di TPS7H6003-SP, TPS7H6013-SP, TPS7H6023-SP e TPS7H6005-SEP sono già disponibili, così come quantità di pre-produzione dei modelli TPS7H6015-SEP e TPS7H6025-SEP, mentre le versioni TPS7H6005-SP, TPS7H6015-SP e TPS7H6025-SP saranno disponibili per l’acquisto entro giugno 2025.

Le risorse di sviluppo comprendono moduli di valutazione per tutti i nove dispositivi, nonché progetti di riferimento e modelli di simulazione.

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