Collaborazione fra STMicroelectronics e l’Institute of Microelectronics di A*STAR sul SiC

L’Institute of Microelectronics (IME) di A*STAR (Agency for Science, Technology and Research) e STMicroelectronics, hanno avviato una collaborazione per la Ricerca e Sviluppo nel campo del carburo di silicio (SiC) per applicazioni di elettronica di potenza destinate ai mercati automotive e industriale.

Questa collaborazione pone le basi per la realizzazione di un ecosistema SiC completo a Singapore e crea opportunità per altre aziende interessate a intraprendere attività di ricerca sul SiC con l’IME e ST.

Nell’ambito di questa collaborazione per la ricerca, l’IME di A*STAR e STMicroelectronics puntano a sviluppare e ottimizzare dispositivi integrati e package per moduli di potenza basati sul SiC che offrano prestazioni sensibilmente superiori nell’elettronica di potenza di prossima generazione.

“Siamo lieti di collaborare con STMicroelectronics per sviluppare tecnologie all’avanguardia che rispondano alle esigenze del mercato in espansione dei veicoli elettrici. Queste iniziative consentiranno di ancorare nuove attività di R&S di grande valore a Singapore e di rafforzare la sua reputazione come hub regionale attraente per la ricerca, l’innovazione e le imprese,” ha dichiarato il professore Dim-Lee Kwong, Executive Director dell’IME.

“Questa nuova collaborazione con l’IME promuove la crescita di un ecosistema del carburo di silicio a Singapore, un’area in cui stiamo espandendo le nostre attività produttive in aggiunta a quelle di Catania. La collaborazione pluriennale ci aiuterà ad ampliare le nostre attività di R&S globali nei diversi programmi esistenti gestiti da Catania e Norrköping (Svezia), che coprono l’intera catena del valore del SiC,” ha dichiarato Edoardo Merli, Direttore generale della macro-divisione Power Transistor e Vice President del gruppo Automotive and Discrete di STMicroelectronics. “Le solide conoscenze e competenze dell’IME nei materiali ad ampio bandgap, in particolare nel SiC, ci supportano nell’accelerare lo sviluppo di nuove tecnologie e prodotti volti a raccogliere la sfida di una mobilità sostenibile e di una maggiore efficienza energetica in un ampio spettro di applicazioni.”

Contenuti correlati

• 
  Collaborazione tra Infineon e LS Electric

  Lo sviluppo di soluzioni di infrastruttura di alimentazione in corrente continua ad alta efficienza per i data center dedicati all’AI e le reti elettriche di nuova generazione sono gli elementi al centro della collaborazione tra Infineon Technologies...
• 
  Collaborazione tra Red Hat e Panasonic Connect

  La nuova collaborazione tra Red Hat e Panasonic Connect è finalizzata all’estensione delle possibilità operative dell’Edge computing in modalità rugged. L’operazione prevede l’integrazione di Red Hat Device Edge nei dispositivi Panasonic Toughbook, offrendo una piattaforma unificata e pronta all’uso per...
• 
  Sicurezza PQC da STMicroelectronics

  STMicroelectronics ha presentato ST54M un chip per dispositivi mobile che integra un acceleratore hardware per PQC (crittografia post-quantistica). Il chip integra inoltre funzionalità NFC, elemento di sicurezza ed eSIM, offrendo una soluzione particolarmente interessante per la connettività...
• 
  STMicroelectronics: modulo LiDAR 3D dToF

  STMicroelectronics ha realizzato VL53L9, un modulo LiDAR 3D all-in-one con tecnologia direct Time-of-Flight (dToF). Il componente, che sarà prodotto in serie dall’inizio di luglio 2026, è caratterizzato da una risoluzione di 2.268 zone (54×42), un ampio campo visivo, capacità...
• 
  STMicroelectronics integra l’AI nei sensori di vibrazione

  IIS3DWB10IS è un nuovo sensore di vibrazione industriale ad alte prestazioni di STMicroelectronics che ha la peculiarità di integrare l’Intelligenza Artificiale tramite un apposito processore, siglato ISPU 2.0 (Intelligent Sensor Processing Unit). Questa unità di elaborazione integrata...
• 
  Visione sempre attiva per i sensori di STMicroelectronics

  STMicroelectronics ha sviluppato una nuova generazione di sensori di immagine con global shutter caratterizzati da consumi particolarmente contenuti e da una visione di tipo always-on (sempre attiva). I modelli sono siglati rispettivamente VD55G4 (monocromatico) e VD65G4 (a...
• 
  Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm

  Rohm  ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC,  Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive,...
• 
  Seco e Hitachi Energy estendono la collaborazione

  Seco e Hitachi Energy hanno esteso la loro collaborazione con la firma di un accordo pluriennale per adottare il framework Clea come elemento chiave nell’evoluzione della piattaforma Energy Connect. La piattaforma IoT industriale di Hitachi Energy integrerà...
• 
  Intel e Google ampliano la collaborazione

  Intel e Google stanno ampliando la loro collaborazione per lo sviluppo della prossima generazione di AI e infrastrutture cloud. Questa collaborazione pluriennale prevede il rafforzamento del ruolo di CPU e IPU ((Infrastructure Platform Unit) personalizzate per scalare...
• 
  Nuovi gate driver da STMicroelectronics

  STMicroelectronics ha realizzato due nuovi gate driver che ottimizzano i vantaggi della tecnologia GaN. Si tratta due dispositivi half-bridge ad alta velocità, siglati rispettivamente Stdriveg212 e Stdriveg612 utilizzabili per applicazioni di potenza e controllo del movimento in...