CISSOID: gate driver per moduli di potenza SiC Wolfspeed
CISSOID ha realizzato un gate driver per pilotare i moduli di potenza SiC Wolfspeed XM3. La scheda CMT-TIT0697 è stata progettata infatti per essere installata direttamente sul modulo di potenza da 1200V/450A CAB450M12XM3 e permette di pilotare moduli SiC ad alta densità di potenza e con alte frequenze di commutazione, minimizzando le perdite, soprattutto in ambienti ad alta temperatura.
Integrato sulla scheda si trova un alimentatore isolato in grado di fornire fino a 2,5W per canale senza derating a una temperatura fino a 125°C (Ta). Il gate driver può pilotare i moduli XM3 fino a 100KHz, permettendo la realizzazione di sistemi ad elevata densità di potenza.
Le funzioni di protezione come quella per undervoltage lockout (UVLO), Active Miller Clamping (AMC), il rilevatore di desaturazione e spegnimento graduale (soft shut-down – SSD) assicurano un pilotaggio sicuro e una protezione affidabile del modulo di potenza in caso di guasti.
Contenuti correlati
-
Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm
Rohm ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC, Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive,...
-
Nuovi gate driver da STMicroelectronics
STMicroelectronics ha realizzato due nuovi gate driver che ottimizzano i vantaggi della tecnologia GaN. Si tratta due dispositivi half-bridge ad alta velocità, siglati rispettivamente Stdriveg212 e Stdriveg612 utilizzabili per applicazioni di potenza e controllo del movimento in...
-
Infineon: gate driver con ingresso opto-emulator
Infineon Technologies ha sviluppato la famiglia di prodotti EiceDRIVER 1ED301xMC12I, una serie di gate driver isolati ad alte prestazioni con ingresso opto-emulator utilizzabili come sostituti compatibili a livello di pin per progetti basati su optoaccoppiatori. La nuova...
-
Partnership tra SemiQ e NAC Semi
SemiQ, azienda specializzata in soluzioni in carburo di silicio (SiC), ha annunciato un accordo di distribuzione con NAC Semi(NAC Group), azienda di servizi di progettazione e distribuzione di componenti elettronici. Questa partnership permette un accesso semplificato a...
-
I SiC di Infineon per la bZ4X di Toyota
Infineon Technologies ha comunicato Toyota ha adottato i MOSFET CoolSiC per il suo nuovo modello bZ4X. Nello specifico, questi componenti di Infineon sono stati integrati nel caricabatterie di bordo (OBC) e nel convertitore CC/CC. I MOSFET CoolSiC sfruttano...
-
Nuovi gate driver a 600V da Microchip
Microchip ha ampliato la sua offerta di gate driver a 600V con 12 nuovi dispositivi, disponibili in configurazioni half bridge, high side/low side e driver trifase. I nuovi componenti sono stati progettati per rispondere alle complesse esigenze...
-
ROHM: gate driver con tecnologia TriC3
Il nuovo gate driver BD67871MWV-Z di ROHM è destinato ad applicazioni con motori DC brushless trifase in sistemi da 12 a 48 V. Questo nuovo componente risponde alle esigenze di elevata efficienza e controllo preciso nelle applicazioni di pilotaggio...
-
ROHM lancia un modulo SiC 2-in-1
ROHM ha annunciato un nuovo modulo SiC 2-in-1 (SCZ40xxDTx, SCZ40xxKTx) DOT-247 . La famiglia è caratterizzata da moduli con una struttura combinata composta da due package TO-247, soluzione che consente di utilizzare chip di grandi dimensioni e...
-
MOSFET SiC 650 V di terza generazione da Toshiba
Toshiba Electronics Europe ha introdotto tre nuovi MOSFET in carburo di silicio (SiC) da 650 V, che integrano i più recenti chip di terza generazione dell’azienda. I modelli , siglati rispettivamente TW027U65C, TW048U65C e TW083U65C, utilizzano un...
-
Un nuovo gate driver da Littelfuse
IXD0579M è un nuovo gate driver ad alta velocità di Littelfuse, in grado di semplificare la progettazione e di ridurre lo spazio necessario al circuito. Utilizzabile per azionare MOSFET a canale N oppure IGBT in configurazioni half...












