Capacità di oltre 30 terabyte per i prossimi HDD di Toshiba

Toshiba Electronic Devices & Storage ha dimostrato con successo le possibilità degli hard disk Nearline, basati su due tecnologie di registrazione magnetica innovative: la Heat Assisted Magnetic Recording (HAMR) e la Microwave Assisted Magnetic Recording (MAMR).

Queste tecnologie consentono di ottenere una capacità di archiviazione superiore a 30 TB.

HAMR potenzia le capacità di scrittura riscaldando localmente il materiale del disco con un laser a corto raggio. Toshiba ha raggiunto 32 TB con 10 dischi che utilizzano la tecnologia Shingled Magnetic Recording (SMR), che sovrappone parzialmente le tracce dei dati per aumentare la densità delle aree e la capacità di archiviazione complessiva per disco.

La tencologia MAMR, invece, utilizza le microonde per migliorare le capacità di registrazione magnetica. Toshiba è stata la prima azienda a dimostrarne l’efficacia e ha iniziato la produzione di massa di drive di prima generazione nel 2021 e ha raggiunto una capacità di 31 TB tramite 11 dischi, utilizzando la tecnologia SMR e migliorando l’elaborazione del segnale.

Toshiba prevede di iniziare a spedire campioni di prova degli HDD da 28-30 TB con tecnologia HAMR nel 2025.

Contenuti correlati

• 
  Nuovi switch ad alta velocità da Toshiba

  Toshiba ha realizzato due nuovi switch multiplexer/demultiplexer per segnali differenziali ad alta velocità. I nuovi prodotti, siglati rispettivamente TDS5B212MX e TDS5C212MX, supportano interfacce ad alta velocità e possono essere utilizzati per server, tester industriali, robot e applicazioni correlate....
• 
  Nove Mosfet di potenza da Toshiba

  Toshiba ha aggiunto alla sua offerta di Mosfet di potenza nove dispositivi disponibili in tre tipi di package a elevata dissipazione di calore. La nuova gamma utilizza infatti i package SOT-23F, TSOP6F e UDFN6B e sono destinati a...
• 
  Due nuovi isolatori digitali da Toshiba

  La nuova serie DCL341x0B di Toshiba è composta da due isolatori digitali a quattro canali utilizzabili per dispositivi industriali e consumer. Per quanto riguarda le principali caratteristiche tecniche, i nuovo prodotti offrono un consumo energetico di 0,18...
• 
  Toshiba: Mosfet a 80 V per automotive

  I Mosfet XPH2R608QB e XPH3R908QB di Toshiba sono componenti a canale N da 80 V conformi allo standard AEC-Q101, che espandono la gamma a supporto dei sistemi automotive a 48 V. Questi prodotti sono realizzati utilizzando il...
• 
  Toshiba presenta sei bus transceiver

  Toshiba Electronics Europe ha aggiunto sei nuovi bus transceiver a doppia alimentazione alla sua serie 74AVC. Si tratta di quattro modelli a 1 bit (74AVC1T45NX, 74AVCH1T45NX, 74AVC1T45FU e 74AVCH1T45FU) e due nuovi prodotti a 2 bit (74AVC2T45FK...
• 
  Sette nuovi Mosfet a super giunzione da Toshiba

  Toshiba ha esteso la sua serie di Mosfet Dtmosvi 600 V con struttura a super giunzione con i nuovi componenti a canale N Dtmosvi 600 V HSD (con diodo ad alta velocità). Si tratta di sette nuovi...
• 
  Fotorelè di nuova generazione da Toshiba

  I quattro nuovi fotorelè di Toshiba Electronics Europe sono destinati a rispondere alle esigenze dei progettisti che operano su apparecchiature di test e misura di prossima generazione. I nuovi prodotti sono siglati TLP3407SRB, TLP3412SRB, TLP3412SRHB e TLP3412SRLB e...
• 
  Toshiba presenta uno switch high-side per automotive

  Il nuovo switch high-side TPD7110F di Toshiba Electronics Europe opera come controller a diodo ideale con protezione contro l’inversione di polarità e una funzione di blocco della corrente, contribuendo alla sicurezza dell’alimentazione nei sistemi automotive. Il nuovo componente...
• 
  Toshiba presenta due controller per motori trifase BLDC

  Toshiba Electronics Europe ha realizzato due controller per l’azionamento di motori DC trifase senza spazzole (BLDC), che possono supportare sia motori a magneti permanenti superficiali (SPM) che quelli a magneti permanenti interni (IPM), con bassa rumorosità e...
• 
  Toshiba presenta un MOSFET DTMOSVI da 600 V

  TK057V60Z è un nuovo MOSFET a super giunzione a canale N di Toshiba che offre una tensione drain-source (VDSS) di 600 V con una corrente di drain (ID) fino a 40 A. Le altre principali caratteristiche tecniche...