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TECH INSIGHT
RF
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- ELETTRONICA OGGI 458 - NOVEMBRE/DICEMBRE 2016
tenza MAGb, basati su tecnologia GaN-on-Si di quar-
ta generazione di MACOM e indirizzati all’uso nelle
basestation wireless. Si tratta dei dispositivi MAGb-
101822-240BOP e MAGb-101822-120BOP che, sotto-
linea l’azienda, beneficiano della tecnologia GaN e di
un concetto costruttivo che fa
uso di un package plastico,
robusto e di costo convenien-
te. Questi transistor di poten-
za forniscono, rispettivamen-
te, 320W e 120W di potenza
di picco in uscita, e coprono
tutte le bande cellulari e livelli
di potenza entro l’intervallo di
frequenze 1,8 GHz – 2,2 GHz.
In aggiunta, dichiara MACOM,
forniscono un’efficienza ener-
getica fino al 79%, con un
miglioramento del 10% ri-
spetto alle soluzioni LDMOS.
RF nel largo consumo:
forni a microonde più moderni
L’energia RF può essere applicata anche in molti
prodotti e applicazioni commerciali, mostra Mark
Murphy, senior director marketing and business
development for RF Power di MACOM, e queste spa-
ziano dai sistemi di essiccamento, ai forni di largo
consumo, ai forni industriali. L’idea progettuale che
emerge dal prototipo di forno di cui Murphy dimo-
stra il funzionamento è, ad esempio, sostituire i clas-
sici forni a microonde – basati su magnetron,
e presenti in grandi numeri nel mercato –
con forni di ultima generazione funzionanti
con energia RF e tecnologia a stato solido.
Tra l’altro, il software di pilotaggio dell’ap-
parecchio consente di controllare in modo
raffinato la potenza, le frequenze e i tempi di
cottura degli alimenti, e quindi di trattare con
particolare delicatezza cibi particolarmente
fragili e critici da cuocere, come ad esempio
il pesce. Qui, il prodotto chiave, annunciato
a maggio, si chiama MAGe-102425-300, ed è
anch’esso basato sulla tecnologia GaN-on-Si
Gen4 sviluppata dall’azienda. Quest’ultima,
spiega la società, ha del resto raggiunto una
livello di maturità e prestazioni tali da sfidare
sia le intrinseche limitazioni della tecnologia
LDMOS, in termini di efficienza e densità di
potenza, sia gli inconvenienti, soprattutto a
livello di costo, della tecnologia GaN-on-SiC
(nitruro di gallio su carburo di silicio).
Abbinando le strutture di costo tipiche del silicio
alle prestazioni della tecnologia GaN, MAGe-102425-
300 può aprire, secondo la società, grandi spazi di
utilizzo dell’energia RF a stato solido come fonte di
potenza e riscaldamento precisa
ed efficiente. Nel caso specifico
dei forni a microonde, MAGe-
102425-300 funziona come ‘ro-
busto’ transistor di potenza,
fabbricato con un package in
plastica ottimizzato per l’uso in
applicazioni di largo consumo. Il
dispositivo è in grado di fornire
una potenza di uscita di 300 W
e un’efficienza del 70% a 2,45
GHz, parametri in grado di sod-
disfare i requisiti core proposti
dalla RF Energy Alliance per la
prossima generazione di ampli-
ficatori di potenza.
Le applicazioni commerciali di MAGe-102425-300
non si limitano comunque ai forni, ma si estendono
anche a molte altre aree: dai sistemi di accensio-
ne in campo automotive, ai sistemi di essiccamen-
to a radiofrequenza; dagli impianti di illuminazione
stradale, alle applicazioni scientifiche e medicali. In
campo medico, ad esempio, si possono realizzare
apparecchiature in cui l’energia RF viene sfruttata
per interventi chirurgici delicati, come l’ablazione di
tumori o tessuti corporei.
Fig. 2 – Il transistor di potenza MAGe-102425-300
Fig. 3 – L’impatto della tecnologia GaN nell’evoluzione
delle infrastrutture di rete