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- ELETTRONICA OGGI 448 - SETTEMBRE 2015

Da decenni, il mercato delle memorie “mainstream” è dominato essenzialmente da

due tipi di dispositivi: Dram e Nand. Sebbene il progetto delle celle si sia evoluto nel

corso degli anni per consentire l’utilizzo di geometrie sempre più ridotte (da 20 nm

in giù), il principio fisico alla base del funzionamento delle due memorie è rimasto

sostanzialmente immutato. Anche se entrambe le tecnologie hanno le loro limitazioni,

abbinando i due tipi di memoria a livello di sistema, si ottiene una sinergia perfetta: i

moderni computer utilizzano la Dram come memoria/cache e la Nand per lo storage.

Sono state numerose le start-up, come

Crossbar

e

Nantero

, che hanno a più riprese

annunciato tecnologie di memoria di nuova generazione, ma nessuno dei produttori

tradizionali aveva proposto proprie soluzioni.

Fino a che

Intel

e

Micron

non hanno presentato la tecnologia 3D XPoint, una

tecnologia di memoria non volatile che di fatto crea, dopo oltre cinque lustri, una

nuova categoria di memoria. I portavoce delle due società hanno dichiarato che 3D

XPoint non si pone come un sostituto di Dram o Nand, ma vuole colmare il gap, in

termini di latenza e costi, che esiste tra le due. I numeri dichiarati sono decisamente

interessanti: una memoria 3D XPoint è 1.000 volte più veloce e garantisce una

endurance (cicle P/E) 1.000 volte superiore rispetto a una Nand tradizionale. La

densità, inoltre, è superiore di un fattore pari a 10 rispetto a quella di una memoria

tradizionale.

Pur senza scendere in troppi dettagli di natura tecnica, è comunque bene

sottolineare che questa nuova categoria di memoria si basa su una tecnologia

resistiva: l’architettura cross point senza transistor crea una scacchiera

tridimensionale in cui le celle di memoria risiedono all’intersezione di linee di word

e linee di bit, consentendo l’indirizzamento delle singole celle. I dati possono essere

letti e scritti in piccole dimensioni, con processi di lettura/scrittura più veloci ed

efficienti.

“Questa nuova categoria di memoria non volatile costituisce una tecnologia

rivoluzionaria – ha sottolineato Mark Adams, presidente di Micron – che permette

l’accesso in tempi brevissimi a enormi insieme di dati e rende possibili applicazioni

del tutto nuove”.

L’accesso rapido a grandi moli di dati apre scenari molto interessanti: dalla

possibilità di identificare più rapidamente modelli di rilevamento di frodi nelle

transazioni finanziarie all’accelerazione di attività complesse come l’analisi genetica

alla possibilità di interagire in tempi più brevi con i social media e in modo ancora

più coinvolgente con i videogiochi.

La tecnologia 3D XPoint sarà disponibile in campionatura entro l’anno e Intel e

Micron stanno già lavorando, su base individuale, allo sviluppo di prodotti basati su

questa tecnologia.

Filippo Fossati

3D XPoint:

la rivoluzione nel campo delle memorie

EDITORIAL