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- ELETTRONICA OGGI 442 - GENNAIO/FEBBRAIO 2015
Alimentatori
per l’industria fotovoltaica
Mornsun
ha presentato i suoi nuovi alimentatori della
serie PVXX-27BxxR2, particolarmente adatti per l’indu-
stria fotovoltaica. Come è noto, le centrali fotovoltai-
che situate in aree remote rendono difficile la fornitura
degli alimentatori per i vari sistemi di controllo; solita-
mente, la tecnica utilizza-
ta è quella di alimentare i
sistemi mediante batterie
o direttamente dalla rete
elettrica, con un notevo-
le incremento di costi. Le
soluzioni di Mornsun con-
sentono di ottenere ener-
gia elettrica direttamente
dai pannelli solari, garantendo in questo modo anche
una riduzione dei costi. I prodotti presentano una gam-
ma di tensione in ingresso di 10 – 1000 VDC, un ampio
intervallo di temperatura di -40 °C +70 °C, elevata ten-
sione di isolamento (4000 VAC) e molteplici protezioni
che assicurano la stabilità dell’alimentazione. In parti-
colare, garantiscono protezione da sovratensione, da
cortocircuito e da inversione di polarità in ingresso.
Diodo bidirezionale
con protezione ESD
Vishay Intertechnology
ha rilasciato un nuovo diodo
bidirezionale con protezione ESD per l’elettronica por-
tatile, che fornisce una tensione di rottura inversa sopra
i 15,5V e una bassa tensione di forward nel pacchet-
to ultra-compatto LLP1006-2L. VESD15A1-HD1-G4-08
è progettato per
ridurre lo spazio
necessario per la
protezione
ESD
in
smartphone,
tablet, sistemi di
gioco e MP3. Per
tali dispositivi, il
diodo offre un ele-
vato isolamento
verso massa, carat-
terizzato da una
bassa corrente di
dispersione mino-
re di 0,01 μA e una bassa capacità di carico di 45 pF
a 0V.VESD15A1-HD1-G4-08 fornisce protezione tran-
sitoria per una linea di dati secondo IEC 61000 4 2 a
±30 kV (aria e lo scarico di contatto) e la protezione da
sovracorrente secondo IEC 61000-4-5 maggiore di 6A.
Inoltre, il dispositivo offre un livello di sensibilità all’u-
midità (MSL) di 1 in accordo a J-STD-020 e una classe di
infiammabilità UL 94 V-0.
MOSFET di potenza NexFET
N-channel
Texas Instruments
ha presentato 11 nuovi MOSFET di
potenza a canale N per la sua linea di prodotti NexFET,
incluso CSD16570Q5B 25-V
e CSD17570Q5B 30-V per
applicazioni hot swap, in
un package QFN. I MO-
SFET
CSD16570Q5B
e
CSD17570Q5B NexFET of-
frono elevate efficienze di
conversione di potenza a
correnti più elevate in un
package di 0.6 mm x 1 mm,
garantendo al tempo stesso
un funzionamento sicuro in
applicazioni server di computer e telecomunicazioni.
Per esempio, CSD16570Q5B 25-V supporta un massi-
mo di 0,59 mΩ di Rdson (resistenza tra drain e source in
condizione di saturazione), mentre CSD17570Q5B 30 V
raggiunge un massimo di 0,69 mΩ di Rdson.
I nuovi Mosfet possono essere abbinati con LM27403
per applicazioni DC/DC per formare una soluzione com-
pleta di convertitore buck sincrono e con un controller
hot swap di TI come TPS24720.
PCIe Data Acquisition
High Speed 12 bit
Keysight Technologies
ha annunciato, in collaborazio-
ne con YellowSys, un fornitore di firmware IP, l’opzione
dedicata alla tecnologia OCT (Optical Coherence Tomo-
graphy) nella scheda PCIe U5303A 12 bit per acquisizio-
ne dati ad alta velocità. La soluzione di acquisizione dati
di Keysight utilizza
un ricampionamen-
to per offrire stabi-
lità al segnale ADC.
Inoltre,
l’elabora-
zione del segnale è
eseguita in tempo
reale direttamen-
te sulla scheda di
acquisizione dati,
riducendo
note-
volmente il carico
di elaborazione sul
computer host.
La scheda è stata progettata utilizzando il kit di svilup-
po U5340A FPGA di Keysight, consentendo la portabili-
tà dell’elaborazione del segnale OCT ad altre schede di
acquisizione dati Keysight, tra cui le versioni future. Non
vi è alcuna necessità di circuiteria interna dedicata per
OCT e la facilità di migrazione del trattamento IP è la
chiave per i futuri sviluppi della tecnologia OCT.