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XVIII
POWER 11 - GIUGNO/LUGLIO 2016
La nuova generazione
di fotoaccoppiatori di Broadcom
Broadcom Limited
ha presentato
una nuova generazione di foto-
accoppiatori per il pilotaggio di
gate da 5A. Siglati ACPL-352J e
ACNW3430, questi componenti
sono stati progettati per un’am-
pia gamma di applicazioni indu-
striali, tra cui l’azionamento di
motori e invertitori di potenza.
Tra le caratteristiche tecniche va
segnalata una CMTI fino a 100
kV/μs e il supporto di corrente
di uscita rail-to-rail fino a 5A, che
elimina la necessità di un circui-
to tampone in uscita. A questo va
aggiunto un ritardo di propaga-
zione minimo (per ACPL-352J il
valore tipico è di 100 ns mentre
per ACNW3430 è di 80 ns) che
permette, fra l’altro, la commu-
tazione ad alta frequenza per mi-
gliorare l’efficienza nel pilotaggio
di IGBTe MOSFET al carburo di
silicio o nitruro di gallio.
LEM amplia la gamma
di trasduttori
di corrente
LEM
ha annunciato la nuova fa-
miglia di trasduttori di corren-
te closed-loop a effetto Hall LH,
una gamma che può essere mon-
tata su PCB per misurazioni iso-
late e non invasive di correnti
DC, AC e pulsate da 25A a 100A
nominali. La famiglia è composta
da tre modelli: LH 25-NP, LH
50-P e LH 100-P, basati sulla tec-
nologia ASIC di LEM. I modelli
LH 50-P e LH 100-P sono stati
progettati per, rispettivamente,
50A e 100A nominali, mentre LH
25-NP è un modello multi-range
che può essere configurato per
8, 12 o 25A, offrendo l’equiva-
lente di tre trasduttori in un solo
dispositivo. La precisione com-
plessiva è dello 0,5% di IPN ed
è mantenuta sull’intero arco di
temperature tra -40 °C e +85 °C,
con una deriva offset massima
dello 0,1% di IPN.
Power
I primi moduli SiC di Fayetteville
Wolfspeed
ha annunciato la disponibilità del primo modulo di
potenza SiC commerciale, siglato CAS325M12HM2, realizza-
to nella fabbrica di Fayetteville, Arkansas. Si tratta di un mo-
dulo da 62 mm di nuova generazione per applicazioni come
per esempio convertitori, inverter, drive per motori, elettroni-
ca industriale e veicoli elettrici ad alte prestazioni. Il design è
particolarmente compatto, mentre l’efficienza è maggiore del
98%, permettendo quindi di aumentare sensibilmente la densità di potenza rispetto ai disposi-
tivi basati su silicio. Il modulo è configurato con topologia half bridge e integra sette MOSFET
SiC C2M da 1.2 kV e 25 mΩ, e sei diodi Schottky Z-Rec sempre da 1,2 kV e 50A.
L’acquisizione, avvenuta nel 2015, di Arkansas Power Electronics International (APEI), ha per-
messo la realizzazione in tempi molto brevi di questi nuovi moduli SiC.
I moduli di potenza di Infineon per i veicoli elettrici
Infineon Technologies
ha presentato le famiglie di moduli
di potenza HybridPACK Double Sided Cooling (DSC). Que-
sti moduli di potenza rispondono alle esigenze di compat-
tezza e consumi imposti dagli attuali veicoli elettrici. Le mi-
sure sono di 42x42,4x4,77 mm e il settore di applicazione
principale è quello dei veicoli HEV per inverter e generatori
con una potenza tipicamente compresa fra 40 e 50 kW. Per
supportare potenze maggiori è possibile collegarli in paralle-
lo. Il primo componente della nuova famiglia di moduli HybridPACK DSC di Infineon è siglato
FF400R07A01E3_S6 e implementa una I Cnom di 400A e una V CES di 700V in configurazione
half bridge. Gli engineering sample saranno disponibili da settembre 2016 mentre una versione
successiva in configurazione full bridge e I Cnom di 200A è prevista per il mese di ottobre 2016.
Gli IGBT da 1200V di ON Semiconductor
per sistemi a commutazione ad alta potenza
ON Semiconductor
ha introdotto una nuova serie di transistor IGBT
che utilizzano la terza generazione della tecnologia proprietaria Ultra
Field Stop Trench. I componenti sono siglati NGTB40N120FL3WG,
NGTB25N120FL3WG e NGTB40N120L3WG e sono stati progettati
per soddisfare i requisiti delle più recenti applicazioni a commutazio-
ne. Questi dispositivi da 1200V offrono valori di perdite di commuta-
zione (Ets) di 2.7 millijoule (mJ) per il modello NGTB40N120FL3WG, e
di 1,7 mJ per NGTB25N120FL3WG. NGTB40N120L3WG è ottimiz-
zato per basse perdite di conduzione e ha una VCEsat di 1,55V, in corrispondenza della mas-
sima intensità di corrente, con una Ets di 3 mJ. NGTB25N120FL3WG e NGTB40N120FL3WG
sono particolarmente indicati per l’utilizzo nei gruppi di continuità (UPS) e negli inverter, mentre
NGTB40N120L3WG è principalmente pensato per l’uso negli azionamenti dei motori.
Toshiba semplifica il controllo PWM ad alta tensione dei motori BLDC
Toshiba Electronics Europe
ha annunciato un dispositivo HV-IPD integrato da 600V e 5A che
permette di semplificare il controllo PWM ad alta tensione dei motori BLDC per applicazioni
come per esempio elettrodomestici, ventilatori, pompe
industriali. Si tratta del TPD4207F che integra i MOSFET
di potenza ad alta tensione, il circuito di controllo e di
pilotaggio con uscita a ponte trifase, i diodi di bootstrap
e un completo sistema di protezione. Un sistema di con-
trollo completo per un motore BLDC può essere realizza-
to semplicemente applicando i segnali provenienti da un
microcontroller host o controller integrato nel motore agli
ingressi del dispositivo.
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