Table of Contents Table of Contents
Previous Page  15 / 18 Next Page
Information
Show Menu
Previous Page 15 / 18 Next Page
Page Background XV

POWER 11 - GIUGNO/LUGLIO 2016

AUTOMOTIVE

radiatore e un semplice motore. Il pre-driver è alloggiato in un package

QFN32 di dimensioni pari a 5mm x 5mm x 0,9mm. Un MOSFET adat-

to può essere NID9N05CL, un dispositivo da 9,0A e 52V, che permette il

controllo a livello logico del gate ed è dotato di un diodo di aggancio e di

protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD). È richiesto un numero

ridotto di resistori e di condensatori, fatto questo che consente di ottenere

dimensioni più compatte e un’altezza inferiore rispetto a un sistema analo-

go realizzato tramite relè. Inoltre, il rumore del relè risulta eliminato. Con

un dissipatore idoneo è possibile gestire la temperatura di giunzione dei

MOSFET per assicurare l’affidabilità almeno per il tempo di vita previsto

per il veicolo.

Il controllo del MOSFET e la raccolta di informazioni relative ai guasti

del carico vengono effettuati con l’aiuto dei terminali GATx e DRNx del

pre-driver; in seguito i dati sono ritrasmessi al microcontrollore attraverso

la porta di comunicazione SPI e l’uscita di segnalazione di errore (FLTB).

Il pre-driver è in grado di rilevare guasti prodotti da cortocircuito verso la

batteria o verso massa per ciascuno dei carichi. Il dispositivo è in grado di

monitorare anche l’alimentazione a batteria, individuando livelli anormali

per proteggere i carichi. Sono disponibili funzionalità aggiuntive come la

ripetizione automatica (auto-retry) e la carica rapida, che possono essere

abilitate attraverso una connessione SPI in base ai requisiti del carico ester-

no. Questi sono alcuni esempi delle funzioni diagnostiche e di protezione,

che la soluzione pre-driver può offrire e che non sono disponibili con un

relè convenzionale.

Per ottimizzare i vantaggi di questa combinazione di pre-driver e di MO-

SFET, i progettisti devono prestare attenzione a numerosi aspetti, quali la

configurazione della protezione dai guasti e i parametri per la diagnostica,

la scelta del MOSFET adatto in base alle condizioni reali del carico, e il cal-

colo del calore dissipato dal MOSFET per assicurare una gestione termica

appropriata.

Individuazione e cattura dei guasti

Ciascun canale del componente NCV7518 possiede funzioni indipendenti

per la diagnostica dei guasti, ed è in grado di individuare guasti da corto-

circuito sul carico quando il canale è attivo, e guasti da cortocircuito verso

massa o da circuito aperto sul carico quando il canale è spento. Ciò consen-

te di usare il driver con diversi tipi di carico, come quelli di tipo induttivo o

resistivo nonché di soddisfare le specifiche di diversi standard nazionali sui

test ambientali per l’elettronica, usati in applicazioni automotive.

Ciascun tipo di guasto è codificato in modo unico con tre bit per dato di

guasto sul canale. Questa codifica a tre bit consente di assegnate una prio-

rità ai guasti, di modo che i dati relativi ai guasti più gravi siano disponibili

alla lettura successiva sull’interfaccia SPI. Di conseguenza, i dati sui guasti

da cortocircuito al carico hanno la massima priorità, seguiti dai dati sui

guasti da cortocircuito verso massa e dai dati sui guasti da circuito aperto

sul carico. L’ingresso di retroazione DRNx per ciascun canale confronta

la tensione presente sul drain del MOSFET esterno del canale con diverse

tensioni interne di riferimento. Le soglie di rilevazione di un cortocircuito

al carico sono programmate attraverso un’interfaccia SPI, e per distingue-

re i tre tipi di guasto sono usati riferimenti separati. Per consentire la sta-

bilizzazione delle transizioni degli stati in uscita e per la soppressione dei

disturbi, vengono usati dei temporizzatori rispettivamente per le funzioni

di soppressione e di filtraggio.