Alta efficienza e dimensioni ridotte per i nuovi moduli MOSFET SiC di Toshiba

Toshiba Electronics Europe  ha introdotto un modulo MOSFET con tecnologia SiC (carburo di silicio) in grado di supportare correnti di 800A.

Il nuovo MG800FXF2YMS3 integra dispositivi MOSFET da 3300V a doppio canale e gli alloggiamenti iXPLV (intelligent flexible package low voltage) impiegati dalla tecnologia di packaging utilizzata si basano su un’avanzata tecnologia di connessione interna con sinterizzazione d’argento che consente di ottenere alti livelli di efficienza.

Il modulo può supportare temperature di canale fino a 175°C, ed è inoltre garantito l’isolamento fino a 6000VRMS. Le perdite di commutazione all’accensione e allo spegnimento sono mantenute rispettivamente a 250mJ e 240mJ, con valori tipici di induttanza parassita previsti di appena 12 nH.

Le principali applicazioni di questi moduli ad alta densità di potenza includono gli azionamenti industriali, le apparecchiature per il controllo dei motori, gli inverter di potenza per i siti di generazione di energia rinnovabile e i convertitori/inverter necessari per l’infrastruttura elettrica in ambito ferroviario.

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