Fujitsu ha avviato le consegne delle campionature di un dispositivo di potenza al nitruro di gallio con una tensione di rottura di 150V

Fujitsu Semiconductor Europe ha annunciato il rilascio del componente MB51T008A, un dispositivo di potenza al nitruro di gallio (GaN) su substrato di silicio caratterizzato da una tensione di rottura di 150V. Il nuovo dispositivo, del tipo normally-off, è in grado di raggiungere circa metà della cifra di merito (FOM) dei dispositivi di potenza al silicio aventi una tensione di rottura equivalente. Con l’aggiunta di questo nuovo prodotto, Fujitsu Semiconductor potrà offrire dispositivi GaN capaci di aiutare a realizzare alimentatori più compatti ed efficienti per un’ampia gamma di settori, che spaziano dagli elettrodomestici alle apparecchiature ICT, dalle automobili alle applicazioni industriali. Le campionature del nuovo prodotto saranno rese disponibili a partire da luglio 2013, con la produzione a volumi prevista a partire dal 2014.

Il dispositivo MB51T008A presenta vari vantaggi come una resistenza on-state di 13 mΩ e una carica di gate totale di 16 nC, che consente una cifra di merito pari a quasi la metà rispetto a quella dei dispositivi di potenza in silicio dalla tensione di rottura equivalente. Il nuovo prodotto vanta una induttanza parassita minimale e può essere adoperato in alta frequenza grazie al packaging WLCSP; il design proprietario del gate permette il funzionamento in modalità normally-off. Il dispositivo è ideale per gli switch high-side e gli switch low-side nei convertitori DC-DC utilizzati all’interno di alimentatori per apparati di comunicazione dati, prodotti industriali e autovetture. Infine, poiché supporta una frequenza di commutazione superiore nei circuiti di alimentazione, rende possibili miglioramenti alle dimensioni e all’efficienza degli alimentatori.

Oltre al nuovo MB51T008A, con la sua tensione di rottura di 150 V, Fujitsu Semiconductor sta anche sviluppando ulteriori modelli con tensioni di rottura di 600V e 30V al fine di aumentare l’efficienza in una vasta gamma di aree di prodotto. Questi dispositivi di potenza GaN sono basati sulla tecnologia HEMT (High Electron Mobility Transistor) il cui sviluppo è stato portato avanti da Fujitsu Laboratories fin dagli anni ’80. Facendo leva su un ricco portafoglio di proprietà intellettuali relative a questa tecnologia, Fujitsu Semiconductor porterà rapidamente sul mercato i propri dispositivi di potenza GaN. In previsione vi sono anche partnership con clienti di numerosi settori allo scopo di espandere ulteriormente il business.

Il dispositivo MB51T008A e altri prodotti GaN di Fujitsu Semiconductor sono stati presentati al “TECHNO- FRONTIER 2013” tenutosi a Tokyo dal 17 al 19 luglio. La società ha messo in rilievo i miglioramenti prestazionali dei propri dispositivi di potenza GaN con tensioni di rottura di 600V, oltre al prototipo e ai dati di test di un alimentatore da 2,5 kW dotato di dispositivo di potenza GaN, PFC ad alta frequenza e convertitore DC-DC ad alta frequenza.

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