Da Rohm un package per Mosfet SiC

TSC3PAK è la sigla di un nuovo package per Mosfet SiC sviluppato da Rohm. Misura 14×18,58×3,50 mm e utilizza una struttura di dissipazione del calore top-side che colloca la superficie di dissipazione sulla parte superiore del package. Rohm precisa che questo nuovo package consente il montaggio automatizzato, ottenendo al contempo prestazioni di dissipazione del calore paragonabili a quelle dei tradizionali package through-hole (TO-247-4L). I dispositivi through-hole richiedono però processi di montaggio manuali e il loro fattore di forma rende difficile ottenere un profilo inferiore del package. In questo contesto hanno iniziato ad essere adottati i dispositivi SiC a montaggio superficiale compatibili con il montaggio automatico.

Tra i vantaggi del TSC3PAK ci sono l’aumento dell’efficienza e dell’affidabilità dei circuiti di conversione di potenza per i caricabatterie di bordo (OBC) e dei compressori elettrici utilizzati negli veicoli elettrici.

Il nuovo package integra la struttura con scanalature proprietaria di Rohm per garantire una distanza di creepage di 6,66 mm, che gli consente di ospitare una tensione di picco AC di 1200 V in un ambiente con grado di inquinamento 2, mantenendo la compatibilità con i prodotti ampiamente adottati sul mercato.

I prodotti che utilizzano il nuovo package incorporano i Mosfet SiC di quarta generazione di Rohm, che presentano una bassa resistenza di ON e caratteristiche di commutazione ad alta velocità.

I modelli di simulazione di tutti i nuovi prodotti sono disponibili sul sito ufficiale di Rohm per una rapida valutazione della progettazione dei circuiti.

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