MOSFET SiC 650 V di terza generazione da Toshiba

Toshiba Electronics Europe ha introdotto tre nuovi MOSFET in carburo di silicio (SiC) da 650 V, che integrano i più recenti chip di terza generazione dell’azienda. I modelli , siglati rispettivamente TW027U65C, TW048U65C e TW083U65C, utilizzano un package TOLL a montaggio superficiale e sono progettati per ridurre le perdite di commutazione nelle apparecchiature industriali.

Toshiba sottolinea che i nuovi dispositivi, rispetto a quelli che usano package con piedinatura, come le versioni TO-247 e TO-247-4L(X), sono in grado di ridurre significativamente il volume (di oltre l’80 %). Questa miniaturizzazione contribuisce direttamente a migliorare la densità di potenza delle apparecchiature. Inoltre, la possibilità di montaggio superficiale del package TOLL consente l’utilizzo di componenti, come resistenze e induttori, con impedenze parassite minori che a loro volta contribuiscono a ridurre le perdite di commutazione.

Tutte le varianti presentano una tensione massima assoluta di drain-source (VDSS) di 650 V e un ampio intervallo di tensione di gate-source (VGSS) da -10 V a 25 V, che assicurano la compatibilità per vari circuiti di gate drive, semplificando la progettazione del circuito. La tensione di soglia di gate (Vth) di questi dispositivi varia in genere da 3,0 V a 5,0 V, contribuendo tra l’altro a semplificare la progettazione circuitale. Inoltre, l’elevata corrente di drain (ID) garantisce un funzionamento affidabile anche in condizioni difficili, migliorando l’affidabilità del sistema.

Questi componenti si possono utilizzare per una vasta gamma di applicazioni di potenza come per esempio gli alimentatori a commutazione (SMPS) nei server, i data center, gli apparecchi di comunicazione, i gruppi di continuità (UPS), le stazioni di ricarica per i veicoli elettrici e i condizionatori di potenza per gli inverter fotovoltaici.

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